公开(公告)号：CN1237574C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02121803.X

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤泽忠仁 ,  浅野昌史 ,  出羽恭子

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70558 ,  G03F1/68 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  G03F7/70683

Abstract: 一种半导体器件制造方法，在对晶片上的抗蚀剂膜依次进行第一加热处理、第一冷却处理后，把曝光量及聚焦位置设定为预定值，使用至少包含曝光量监视标记和聚焦监视标记之一的掩，对抗蚀剂膜进行曝光处理，在其上形成与监视标记相对应的潜影，再依次进行第二加热处理、第二冷却处理之后，进行显影处理，在曝光处理后，根据测定一次以上监视标记的潜影或监视图形的状态的测定结果，求出实际的曝光量及聚焦位置的至少一方，并由此算出最佳曝光量值与上述设定值之差以及最佳聚焦值与设定值之差的至少一方，根据所算出的差，来变更曝光条件以及曝光后的处理条件的至少一个。

公开(公告)号：CN1237396C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03121360.X

申请日：2003-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 酢谷拓路 ,  出羽恭子 ,  藤泽忠仁 ,  井上壮一

IPC: G03F1/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70641 ,  G03F1/44

Abstract: 本发明的目的在于以高灵敏度，高精度，监视曝光光源相对焦点位置的偏离，或曝光量变化。在光掩模上，具有器件图案，该器件图案具有开口部与掩模部；聚焦监视图案，或曝光量监视图案，该聚焦监视图案或曝光量监视图案具有开口部和掩模部，具有与器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状。聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差，与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。另外，曝光量监视图案的开口部与器件图案的开口部的曝光光透射率不同。

公开(公告)号：CN1235088C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN03148293.7

申请日：2003-07-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  佐藤隆 ,  浅野昌史

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70558

Abstract: 谋求放宽曝光量监测图形设计条件，容易获得所需要的曝光量灵敏度。一种的曝光量监测方法是，将照明光照明形成曝光量监测图形的掩模上，只让所述曝光量监测图形衍射光之中0次衍射光通过所述投影曝光装置的光瞳面内，在衬底上边复制曝光量监测图形，测定曝光量，并以照射所述照明光时，使通过所述投影曝光装置的光瞳面(200)上的所述曝光量监测图形的0次衍射光像(211)重心偏离光轴OA为特征的曝光量监测方法。

公开(公告)号：CN1510732A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310123916.8

申请日：2003-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  信越半导体株式会社 ,  株式会社尼康

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  小林诚 ,  市川雅志 ,  萩原恒幸 ,  児玉贤一

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  G01B11/306 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。