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公开(公告)号：CN1264142A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN00101829.9
申请日：2000-02-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , C23C14/00 , C22C9/00
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 作为接点,采用{W－CuxSb－余量Cu}合金;作为该合金中的耐电弧成分,采用粒径为0.4～9μm并且含量为65～85%的W或WMo;作为辅助成分,采用粒径为0.02～20μm并且含量为0.09～1.4%的CuxSb,x=1.9～5.5,平均粒子间距为0.2～300μm。另外,作为导电成分,采用Cu、CuSb固溶体,在该CuSb固溶体中存在0.5%以下呈固溶状态的Sb。结果使得,在受到电弧作用时,能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散,抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂,减轻W粒子的飞散脱落,减少接点表面的熔化和飞散损伤,并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。
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公开(公告)号：CN1253377A
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN99123411.1
申请日：1999-11-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/0061 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a,且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7—80的范围内。
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公开(公告)号：CN1213153A
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：CN98120616.6
申请日：1998-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J21/00
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 本发明是把真空阀的接点坯料制成由Cu等高导电性成分和由Cr构成的粒径在0.1～150μm范围里的颗粒至少占90容积%的耐弧性成分构成,而且使这种接点坯料的900℃时热膨胀率α900和50℃时的热膨胀率α50的差与900℃时的热膨胀率α900的比率[(α900－α50)×100/(α900)]为0.8%以上、12%以下。由此,能抑制经钎焊工序后,在Cr颗粒和Cu基体的界面上沟的生成,能使静耐压特征、接触电阻特性稳定,还能使切断循征稳定。
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公开(公告)号：CN1160752C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN98106642.9
申请日：1998-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203 , B22F1/0003 , H01H1/0206
Abstract: 本发明的目的在于提供一种耐电压性能高的、以同相绕结法制的真空电子管用接点材料。根据本发明的一种真空电子管用接点材料，它是通过混合耐弧成分粉末和导电成分粉末的混合工序、使混合后的上述耐弧成分粉末和导电成分粉末形成成型体的成形工序、使上述成型体在导电成分的融点下烧结的烧结工序制成的，其特征在于，真空电子管用接点材料含有单晶体的耐弧成分。
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公开(公告)号：CN1485870A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03153054.0
申请日：2003-08-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , H01H1/02
Abstract: 本发明通过使Cu－W合金或Cu－WC合金的冶金的各条件达到最适化，提供了断路特性和再起弧特性优异的真空断路器。该断路器的触点由含有10～50重量％的Cu形成的导电性成分相和50～90重量％的W(或WC)形成的耐弧性成分的触点材料构成，升温过程中触点材料中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1－T2)值与熔融起始温度T1的比率，即[(T1－T2)×100/(T1)]在2.8％以下。由此，可兼得断路特性和再起弧特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1132212C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN98105126.X
申请日：1998-01-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金，以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样，提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。
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公开(公告)号：CN1245963A
公开(公告)日：2000-03-01
申请号：CN99118067.4
申请日：1999-08-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 本发明的真空管用接点材料由导电成分、耐弧成形与Cr或Zr构成,所说的导电成分含量为50～70重量%,其主成分为Cu;所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成,其平均粒径在8μm以下,其含量为30—50重量%;所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2～2.0重量%,或者,所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2—2.0重量%。材料中的氢含量规定为0.2～50ppm。
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公开(公告)号：CN1222741A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN99100918.5
申请日：1999-01-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B1/02
CPC classification number: H01H1/0203 , Y10S428/926 , Y10S428/929 , Y10T428/12014 , Y10T428/1216 , Y10T428/12167 , Y10T428/12458 , Y10T428/12903 , Y10T428/12993
Abstract: 公开了一种触点材料,其中含有平均粒径为0.1～9μm且含量为30～70容积%的TiC、V和VC中至少一种物质组成的耐弧成分,相对于耐弧成分含量为0.005～0.5重量%、换算成球形的直径为0.01～5μm并以非固溶态或非化合态存在的C,以及余量Cu组成的导电成分。
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公开(公告)号：CN1201245A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN98106642.9
申请日：1998-03-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/66
CPC classification number: H01H1/0203 , B22F1/0003 , H01H1/0206
Abstract: 本发明的真空电子管用接点材料是通过混合耐弧成分粉末和导电成分粉末的工序、成形工序、使成形体在导电成分的融点以下烧结的工序制造而成的且它使电弧的断开性能得到改善。
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公开(公告)号：CN1192573A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN98105126.X
申请日：1998-01-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金,以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样,提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。
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