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公开(公告)号：CN104467330A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410082920.2
申请日：2014-03-07
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 富冈泰造
CPC classification number: H02K17/165 , H02K15/0012 , Y10T29/49012
Abstract: 一种感应电动机以及感应电动机的制造方法。感应电动机具备埋入配置于转子铁心圆周上的多根导体棒以及以使多根导体棒的两端部分别导通的方式进行接合的端环（5）。该导体棒由棒状的第一金属部以及与其两端接合的第二金属部构成。第二金属部是实心的块状。第一金属部与第二金属部通过摩擦搅拌焊或摩擦压焊而接合。
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公开(公告)号：CN100576590C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710152881.9
申请日：2007-09-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 富冈泰造
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在光半导体器件(1A)中，包括：具有凹部(2a)的基体(2)；设置在凹部(2a)内、发射光的发光元件(3)；设置在基体(2)内并覆盖凹部(2a)的侧面、抑制由发光元件(3)发射的光向凹部(2a)的侧面入射的抑制构件(4)；设置在凹部(2a)内、密封发光元件(3)的透光性构件(5)。本发明提供能在抑制成本的同时，防止基体的光恶化引起的亮度下降的光半导体器件。
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公开(公告)号：CN1992362A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610142987.6
申请日：2006-10-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/486 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供薄型/小型，且散热性良好，能够稳定地生产的光半导体器件。芯片焊盘侧内部引线(4)，以搭载光半导体元件的芯片焊盘部从引线的突端向中途部覆盖的方式设置，在第1弯曲部(21)处，以从芯片焊盘所成的面向搭载有光半导体元件的主面倾斜的方式被弯曲成大约40°。在从第1弯曲部(21)离开400μm的较高的位置上设有第2弯曲部(22)，从该第2弯曲部(22)再次向与芯片焊盘部相同的方向延设。芯片焊盘侧外部引线(7)，位于从第2弯曲部(22)延伸出来的内部引线(4)的延长上，并水平地向封装的外侧的区域延设。在设在中途部的第3弯曲部(23)处，以面向与包括芯片焊盘的背面的假想平面相交的方向的方式被弯曲。
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公开(公告)号：CN109564898A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048297.0
申请日：2017-07-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的半导体模块包含半导体元件、金属基体、基板和金属层。上述金属基体具有搅拌部。上述基板位于上述半导体元件与上述金属基体之间。上述金属层与上述搅拌部相接，且位于上述金属基体与上述基板之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100580875C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810008863.8
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/78 , H01L21/607 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/29 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/298 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/19043 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 对于为了减小在半导体基板上所形成的电路元件间的电阻而在半导体基板的面上形成有导电层的半导体元件，在通过施加超声波振动而倒装片式安装该半导体元件时，防止由施加超声波振动的结合工具切削导电层，并防止因所切削的切屑附着在结合工具上而引起的半导体元件的安装状态的偏差。在半导体元件的制造方法中，具有以下工序：在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上形成导电层；在覆盖上述导电层上的至少一部分的区域内，形成相比于该导电层具有难切削性的保护层；以及将上述半导体晶片按照每个半导体元件切断。
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公开(公告)号：CN101150164A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152881.9
申请日：2007-09-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 富冈泰造
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在光半导体器件(1A)中，包括：具有凹部(2a)的基体(2)；设置在凹部(2a)内、发射光的发光元件(3)；设置在基体(2)内并覆盖凹部2a的侧面、抑制由发光元件3发射的光向凹部2a的侧面入射的抑制构件4；设置在凹部2a内、密封发光元件3的透光性构件5。本发明提供能在抑制成本的同时，防止基体的光恶化引起的亮度下降的光半导体器件。
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公开(公告)号：CN107042359A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710064495.8
申请日：2017-02-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B23K20/12
CPC classification number: B23K20/1255 , B23K20/1265 , B23K20/2336 , B23K20/122 , B23K20/1245 , B23K20/127
Abstract: 本发明的实施方式涉及的摩擦搅拌接合方法中，相对于由第1金属部件、主元素与所述第1金属部件所含的主元素相同的第2金属部件、和夹在所述第1金属部件的至少一部分与所述第2金属部件的至少一部分之间且主元素与所述第1金属部件及所述第2金属部件所含的主元素相同、粒径为20μm以下的第3金属部件构成的被接合部件，一边使前端具有突起的工具旋转一边向所述被接合部件按压，从而将所述第1金属部件、所述第2金属部件和所述第3金属部件接合。
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公开(公告)号：CN102412380B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110227438.X
申请日：2011-08-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01M2/30 , B23K20/10 , B23K2101/38 , B23K2103/10 , H01M2/263
Abstract: 本发明提供了一种电池，它包括容器、包括正电极和负电极的电极组、多个从电极组的正电极和负电极中的任一个延伸并且彼此重叠的集电片；通过超声波焊接结合至至少一个集电片引线、设计成封闭容器的开口部分的盖和设置在盖上并且经由引线连接至至少一个集电片的外部端子，其中引线具有在引线中从超声波焊接部分向至少一个集电片到外部端子的延伸的中间增大的横截面积。
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公开(公告)号：CN1992362B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610142987.6
申请日：2006-10-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/486 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供薄型/小型，且散热性良好，能够稳定地生产的光半导体器件。芯片焊盘侧内部引线(4)，以搭载光半导体元件的芯片焊盘部从引线的突端向中途部覆盖的方式设置，在第1弯曲部(21)处，以从芯片焊盘所成的面向搭载有光半导体元件的主面倾斜的方式被弯曲成大约40°。在从第1弯曲部(21)离开400μm的较高的位置上设有第2弯曲部(22)，从该第2弯曲部(22)再次向与芯片焊盘部相同的方向延设。芯片焊盘侧外部引线(7)，位于从第2弯曲部(22)延伸出来的内部引线(4)的延长上，并水平地向封装的外侧的区域延设。在设在中途部的第3弯曲部(23)处，以面向与包括芯片焊盘的背面的假想平面相交的方向的方式被弯曲。
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