公开(公告)号：CN1290194C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN02124394.8

申请日：2002-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明的目的，在于：维持好电容元件中的下方电极对氧的阻挡性，并防止电容元件中由金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。下方电极(31)的侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氧及氢扩散的第1绝缘性阻挡层(15)覆盖起来。上方电极(33)的上面、该上方电极(33)、电容绝缘膜(32)及掩埋绝缘膜(16)的各个侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氢扩散的第2绝缘性阻挡层(17)覆盖起来。第2绝缘性阻挡层(17)在下方电极(31)两侧的区域和第1绝缘性阻挡层(15)相接触。

公开(公告)号：CN1649157A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006303.5

申请日：2005-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  三河巧

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75

Abstract: 在由氢阻挡膜覆盖的电容元件的结构中，防止高段差的产生。在由下部电极(21)、与所述下部电极(21)相面对形成的上部电极(24)以及电容绝缘膜(22)构成的电容元件中，所述电容绝缘膜(22)由在所述下部电极(21)和所述上部电极(24)之间形成的强电介质或者高电介质构成，所述下部电极(21)、所述电容绝缘膜(22)和所述上部电极(24)被形成至少在从其上面配置了第一氢阻挡膜(17)的层间绝缘膜(16)上所设置的孔(18)的内部的孔上方，配置与第一氢阻挡膜(17)相接的第二氢阻挡膜(26)使得覆盖上部电极(24)的上面以及在该上部电极(24)当中在孔(18)的上方所形成的部分侧面。

公开(公告)号：CN1591876A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074831.X

申请日：2004-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 后藤觉 ,  长野能久

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L28/82

Abstract: 一种半导体装置，电容元件(15)具有：表面形成凹部(11a)的基底绝缘层(11)，在基底绝缘层(11)上沿着凹部(11a)的内壁形成的下部电极(12)，在该下部电极(12)上形成的、由高电介体或铁电体构成的电容绝缘膜(13)，在该电容绝缘膜(13)上形成的上部电极(14)。将基底绝缘层(11)的凹部(11a)中的壁面的上端部及该凹部(11a)中的底面的拐角部弄成圆形。能够防止起因于对具有立体形状的电容元件进行热处理时的电极的断线。

公开(公告)号：CN1187829C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN98124908.6

申请日：1998-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  上本康裕 ,  十代勇治 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507

Abstract: 半导体器件含有：一硅基底；其上的一MOS半导体器件，该器件最外层表面上有一硅化物区；一覆盖该器件的第一绝缘膜；一在第一绝缘膜上的电容器元件，该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜，该膜包含铁电材料；一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜；一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔；一第二绝缘膜上的互连层，该层使MOS器件与电容器元件电连接，互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。

公开(公告)号：CN1080926C

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：CN96101296.X

申请日：1996-02-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  藤井英治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件制造方法，该制造方法包括：在已形成电路元件的基片上，形成下电极用白金膜、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和上电极用白金膜，使用含氯的蚀刻气体有选择地对所述上电极用白金膜和所述介质膜进行干式蚀刻后，照射含氟气体放电所产生的等离子体。利用这种半导体器件制造方法，因几乎没有氯残留，所以能防止由于残留氯而侵蚀介质膜。

公开(公告)号：CN1136218A

公开(公告)日：1996-11-20

申请号：CN96101296.X

申请日：1996-02-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  藤井英治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件制造方法，该制造方法包括：在已形成电路元件的基片上，形成下电极用白金膜、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和上电极用白金膜，使用含氯的蚀刻气体有选择地对所述上电极用白金膜和所述介质膜进行干式蚀刻后，照射含氟气体放电所产生的等离子体。利用这种半导体器件制造方法，因几乎没有氯残留，所以能防止由于残留氯而侵蚀介质膜。

公开(公告)号：CN100403520C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200410078515.X

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  那须徹 ,  藤井英治

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN1244155C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN01821958.6

申请日：2001-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  伊东丰二 ,  今西贞之 ,  藤井英治

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在布线层形成后无法使用高温氧退火的状态下，防止由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。在半导体衬底1上形成由下部电极8、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜9及上部电极10构成的电容元件11。在以覆盖电容元件11的方式形成的保护绝缘膜12上形成有第1布线层14。以覆盖第1布线层14的方式形成有第1层间绝缘膜15。隔着以与电容元件11重叠的方式设置且防止氢扩散的阻挡膜16，在第1层间绝缘膜15上形成有第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17上形成有第2布线层19。第1层间绝缘膜15中氢的含有率比第2层间绝缘膜17中氢的含有率低。

公开(公告)号：CN1159759C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN96110805.3

申请日：1996-07-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田明浩 ,  长野能久 ,  那须彻 ,  有田浩二 ,  上本康裕

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/56

Abstract: 本发明内装于半导体集成电路中的使用强电介质膜或高介电常数的电介质膜的电容元件的制造方法具有：在衬底基片的一表面上形成由金属膜或导电性氧化膜构成的第1电极的工序、在第1电极上烧结形成主成分为强电介质或具有高介电常数的电介质构成的第1绝缘膜的工序、在该第1绝缘膜上热处理形成第2绝缘膜的工序，以及在该第2绝缘膜上形成由金属模或导电性氧化膜构成的第2电极的工序。

公开(公告)号：CN1486512A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN01821958.6

申请日：2001-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  伊东丰二 ,  今西贞之 ,  藤井英治

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在布线层形成后无法使用高温氧退火的状态下，防止由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。在半导体衬底1上形成由下部电极8、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜9及上部电极10构成的电容元件11。在以覆盖电容元件11的方式形成的保护绝缘膜12上形成有第1布线层14。以覆盖第1布线层14的方式形成有第1层间绝缘膜15。隔着以与电容元件11重叠的方式设置且防止氢扩散的阻挡膜16，在第1层间绝缘膜15上形成有第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17上形成有第2布线层19。第1层间绝缘膜15中氢的含有率比第2层间绝缘膜17中氢的含有率低。