公开(公告)号：CN1698205A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000228.5

申请日：2004-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治 ,  久都内知惠

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备：第一氢阻挡膜，在第一氢阻挡膜上形成的电容元件，以覆盖电容元件的方式形成的第二氢阻挡膜。第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜至少包含1个使第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜密接的同一种原子。

公开(公告)号：CN1516275A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310120418.8

申请日：1999-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  佐佐井洋一 ,  十代勇治 ,  野间淳史

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在覆盖衬底11上的晶体管17的绝缘膜19的接触孔19a中，撇开该接触孔19a的内部和上部，在其壁面和漏极区15上方形成有由铱构成的、膜厚约为0.1μm的底层导电膜20；在接触孔19a的内部和上部填充有铂而形成了插塞21。在绝缘膜19的接触孔19a上，形成有与底层导电膜20及插塞21的上端面接触并包括由铂构成的下部电极25、由SrBi2Ta2O9构成的电容绝缘膜26以及由铂构成的上部电极27的电容元件28。

公开(公告)号：CN1482672A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03154691.9

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治 ,  夏目进也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31053 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：在形成于衬底(10)上的第1绝缘层(4)和形成于第1绝缘层中的多个接触栓塞(3)上形成导电层(5)；对导电层进行构图而形成多个电容元件下部电极(6)；在第1绝缘层和电容元件下部电极上形成第2绝缘层(8)；在电容元件下部电极的上部区域的第2绝缘层中形成凹部(12)；对第2绝缘层进行研磨而使其平坦化；露出电容元件下部电极；以及在电容元件下部电极的上部形成电容绝缘膜和电容元件上部电极。在第2绝缘层的研磨时促进阶梯差缓和，抑制研磨残留、下部电极的剥离及损伤的产生，并且可降低总阶梯差。