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公开(公告)号：CN103219382B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310093194.X
申请日：2010-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7805 , H01L29/7827 , H01L29/7828 , H03K17/145
Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体装置及电力变换器。本发明的包括MISFET的半导体元件(100)具有经由沟道外延层(50)的反向二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的碳化硅半导体基板(10)、第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区域(30)、第1导电型的源极区域(40)、与体区域相接形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)、栅极绝缘膜(60)、栅极电极(65)、漏极电极(70)。在向MISFET的栅极电极施加的电压比阈值电压小的情况下，作为从源极电极(45)经由沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥作用。该二极管的启动电压的绝对值比由所述体区域和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的启动电压的绝对值小。
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公开(公告)号：CN103180959A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051610.9
申请日：2011-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/046 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法。从基板(101)的主面的法线方向看，半导体元件(100)包括单位单元区域(100ul)及位于单位单元区域与半导体元件的端部之间的末端区域(100f)，末端区域(100f)在第1碳化硅半导体层(102)具有配置为与漂移区域(102d)相接的第2导电型的环区域(103f)，环区域包括：与第1碳化硅半导体层的表面相接的高浓度环区域(103af)、及以比高浓度环区域低的浓度包含第2导电型的杂质且在底面与第1碳化硅半导体层相接的低浓度环区域(103bf)，高浓度环区域(103af)的侧面与漂移区域(102d)相接，从半导体基板主面的法线方向看，高浓度环区域与低浓度环区域具有相同的轮廓。
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公开(公告)号：CN102203925B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201080003062.8
申请日：2010-07-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0465 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法包括：使用第一注入掩模层(30)向半导体层(2)注入杂质来形成体区域(6)的工序；使用第一注入掩模层(30)和第二注入掩模层(31)来注入杂质，从而在体区域(6)内形成接触区域(7)的工序；形成第三注入掩模层(32)之后，选择性地除去第二注入掩模层(31)的工序；在第一注入掩模层(30)的侧面形成侧壁(34)的工序；和通过注入杂质，在体区域(6)内形成源极区域(8)的工序。
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公开(公告)号：CN102741992A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200980100751.8
申请日：2009-05-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/2623 , G01R31/20 , H01L22/14
Abstract: 本发明的耐压测定方法，用于对形成在晶片表面的多个半导体元件的耐压进行测定，包括：将所述晶片固定到载置台的步骤(A)；利用绝缘液仅覆盖所述晶片表面的一部分、即至少覆盖从所述多个半导体元件选择的一个半导体元件上设置的测定耐压的一个以上露出于大气的电极，并且使探头与所述一个以上电极接触的步骤(B)；和对从所述一个以上电极及所述载置台表面选择的两个之间的耐压进行测定的步骤(C)。
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公开(公告)号：CN102598265A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201180004241.8
申请日：2011-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7391
Abstract: 本发明提供一种半导体元件，其可以经由沟道层而进行晶体管动作与二极管动作。在以源极电极(150)的电位为基准的栅极电极(165)的电位Vgs是0伏特时，借助体区域(130)的一部分与沟道层(150)之间的pn结，在沟道层(150)的至少一部分形成在整个厚度方向上被耗尽化的厚度为Dc的耗尽层，并且在体区域(130)的一部分形成距离pn结的接合面的厚度为Db的耗尽层。在将宽带隙半导体的介电常数设为εs，将绝缘膜(160)的介电常数及厚度分别设为εi及Di，将Dc与Db之和设为Ds，将二极管的启动电压的绝对值设为Vf0时，满足Ds＜Di·εs/(εi(2/Vf0-1))。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1914786B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200580003618.2
申请日：2005-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M1/08 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/095
CPC classification number: H02M7/538 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L24/73 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M7/003 , H03K17/063 , H03K17/6871 , Y02B70/1483 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的半导体装置(29)包括：两个电平移动开关(28A、28B)，具有第一电极、第二电极、控制电极和信号输出电极，同时具有第一半导体区域，该第一半导体区域构成为：介于所述第一电极与所述信号输出电极之间、根据向所述控制电极的输入信号导通或者非导通的晶体管元件部(28a、28b)；介于所述信号输出电极与所述第二电极之间的电阻元件部(Ra、Rb)，所述第一半导体区域由宽禁带半导体构成；和二极管(23)，具有阴极侧电极、阳极侧电极和第二半导体区域，所述第二半导体区域由宽禁带半导体构成。
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公开(公告)号：CN102203925A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201080003062.8
申请日：2010-07-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0465 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法包括：使用第一注入掩模层(30)向半导体层(2)注入杂质来形成体区域(6)的工序；使用第一注入掩模层(30)和第二注入掩模层(31)来注入杂质，从而在体区域(6)内形成接触区域(7)的工序；形成第三注入掩模层(32)之后，选择性地除去第二注入掩模层(31)的工序；在第一注入掩模层(30)的侧面形成侧壁(34)的工序；和通过注入杂质，在体区域(6)内形成源极区域(8)的工序。
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公开(公告)号：CN101449384B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780018122.1
申请日：2007-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/41741 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 在具有半导体层(10)、在半导体层的表面(10s)形成的第一导电型半导体区域(15s)、在半导体层的表面(10s)在第一导电型半导体区域(155)的周围形成的第二导电型半导体区域(14s)、以及具有和第一导电型半导体区域(15s)和第二导电型半导体区域(14s)接触的导电面(19s)的导电体(19)的半导体元件中，半导体层(10)包含碳化硅；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)中至少一个不是圆；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)分别具有随着将导电面(19s)和第1导电型半导体区域(15s)之间的位置匹配的偏移量从零增加到导电面(19s)的宽度的1/3，导电面(19s)的轮廓中横切第1导电型半导体区域(15s)的部分的长度平缓变化的形状。
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公开(公告)号：CN101449384A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018122.1
申请日：2007-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/41741 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 在具有半导体层(10)、在半导体层的表面(10s)形成的第一导电型半导体区域(15s)、在半导体层的表面(10s)在第一导电型半导体区域(15s)的周围形成的第二导电型半导体区域(14s)、以及具有和第一导电型半导体区域(15s)和第二导电型半导体区域(14s)接触的导电面(19s)的导电体(19)的半导体元件中，半导体层(10)包含碳化硅；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)中至少一个不是圆；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)分别具有随着将导电面(19s)和第1导电型半导体区域(15s)之间的位置匹配的偏移量从零增加到导电面(19s)的宽度的1/3，导电面(19s)的轮廓中横切第1导电型半导体区域(15s)的部分的长度平缓变化的形状。
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公开(公告)号：CN1260776C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02148065.6
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L29/365 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02584 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/0445 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐耐压高、移动度大的半导体元件。
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