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公开(公告)号：CN101507005B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200780031685.4
申请日：2007-08-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/501 , H01L25/0753 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 配置一种发光光源(1)，其包括：衬底(10)；形成在衬底(10)上的端子(11)和焊盘(12)；经由突起(13)安装在焊盘(12)上的发光元件(14)；以及覆盖发光元件(14)且填充在衬底(10)的主表面与发光元件(14)之间的空隙中的荧光体层(15)，其中荧光体层(15)包含荧光体和透光性基材，并且所述荧光体层(15)填充在所述空隙中的部分(15a)中的荧光体的体积含量与所述荧光体层(15)覆盖所述发光元件(14)的部分(15b)中的荧光体的体积含量彼此基本上相等。
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公开(公告)号：CN101507005A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031685.4
申请日：2007-08-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/501 , H01L25/0753 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 配置一种发光光源(1)，其包括：衬底(10)；形成在衬底(10)上的端子(11)和焊盘(12)；经由突起(13)安装在焊盘(12)上的发光元件(14)；以及覆盖发光元件(14)且填充在衬底(10)的主表面与发光元件(14)之间的空隙中的荧光体层(15)，其中荧光体层(15)包含荧光体和透光性基材，并且所述荧光体层(15)填充在所述空隙中的部分(15a)中的荧光体的体积含量与所述荧光体层(15)覆盖所述发光元件(14)的部分(15b)中的荧光体的体积含量彼此基本上相等。
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公开(公告)号：CN100509236C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200580001891.1
申请日：2005-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B23K3/08
CPC classification number: B23K3/087 , B23K37/047 , H01L2224/75502 , Y10T29/49004 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49137 , Y10T29/53187
Abstract: 一种控制在用于把电子组件装配在基板上的装置中的接触载荷的方法，其中，压头以高速降低到没有电子组件与基板相接触的风险的减速起始位置(S1)，从那里压头以低速降低直到检测到预定的目标接触载荷。以低速降低压头的处理包括使压头向下移动预定距离(S3)、在使压头向下移动的步骤后测量载荷(S5)、以及确定所测量的接触载荷是否已经达到目标接触载荷(S9)的步骤，使压头向下移动(S3)和测量载荷的步骤(S5)被重复直到测量的载荷达到所述预定的目标接触载荷。实际的接触载荷被精确地控制到接近目标接触载荷非常小的设定水平。因此，可在没有损坏风险的情况下装配采用低介电常数材料的电子组件。
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公开(公告)号：CN100461358C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200580018277.6
申请日：2005-06-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/3436 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/75 , H01L2224/75502 , H01L2224/75743 , H01L2224/75745 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H05K2203/0195 , H05K2203/0278 , Y02P70/613
Abstract: 以往，将产生加工应变及被吸嘴吸附时产生变形、可能有损平面性的薄型化的IC芯片，利用吸附面(11b)形成平坦面的吸嘴(11)以规定载荷、与基板(4)按压，通过这样来矫正变形，伴随使电极上形成的焊锡凸点(1a)熔融进行的加热会产生热膨胀，利用吸嘴(11)的上升控制，来补偿因该热膨胀而使IC芯片与基板(4)的规定相对间隔的减少，利用吸嘴(11)的下降控制，来补偿伴随因冷却而使已热膨胀的部位的收缩会产生熔融部分的剥离作用，通过这样，实现即使是容易产生变形的薄型化的IC芯片或以窄间距形成多个电极的IC芯片等电子元器件、也能够正确地安装在基板上的电子元器件的安装方法及安装装置。
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公开(公告)号：CN101128914A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680006043.4
申请日：2006-06-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B23K20/10 , H01L21/67138 , H01L21/67144 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/75 , H01L2224/75301 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明的半导体器件键合装置1包括：施压部件15，在将凸起14设置在半导体器件10和衬底11之间的状态下，将半导体器件10压向衬底11一侧；超声波振动施加部件16，通过将超声波振动施加到半导体器件10和衬底11中的至少一个，使半导体器件10和衬底11相对振动；时间测量部件17，测量从开始施加超声波振动时的时间到按压半导体器件达预定距离时的时间所需的时间段；以及控制部件18，基于由时间测量部件17测量到的时间段，在随后的键合过程中控制超声波振动的输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101120425A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680004703.5
申请日：2006-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种荧光体层形成装置(1)，吐出含有荧光体的浆体(21)来分别覆盖安装在基板(10)上的多个发光元件(11)，其包括：吐出部(12)，将浆体(21)作为液滴吐出到各个发光元件(11)上；测量部(13)，测量覆盖各个发光元件(11)形成的由浆体(21)构成的荧光体层的厚度；吐出量控制部(14)，根据由测量部(13)测量的各个荧光体层的厚度，控制对各个荧光体层的浆体(21)的再吐出量。由此，提供了能够缩短制造时间的荧光体层形成装置。
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公开(公告)号：CN1905981A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001891.1
申请日：2005-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B23K3/08
CPC classification number: B23K3/087 , B23K37/047 , H01L2224/75502 , Y10T29/49004 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49137 , Y10T29/53187
Abstract: 一种控制在用于把电子组件装配在基板上的装置中的接触载荷的方法，其中，压头以高速降低到没有电子组件与基板相接触的风险的减速起始位置(S1)，从那里压头以低速降低直到检测到预定的目标接触载荷。以低速降低压头的处理包括使压头向下移动预定距离(S3)、在使压头向下移动的步骤后测量载荷(S5)、以及确定所测量的接触载荷是否已经达到目标接触载荷(S9)的步骤，使压头向下移动(S3)和测量载荷的步骤(S5)被重复直到测量的载荷达到所述预定的目标接触载荷。实际的接触载荷被精确地控制到接近目标接触载荷非常小的设定水平。因此，可在没有损坏风险的情况下装配采用低介电常数材料的电子组件。
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公开(公告)号：CN102858704B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180018130.2
申请日：2011-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , C03C3/066 , C03C8/08 , C03C8/24 , C04B41/009 , C04B41/5022 , C04B41/86 , H01L33/54 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , C04B35/115 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制加热时的结晶化，同时实现高折射率，进而可与陶瓷制基板等组合来使用的玻璃组合物，所述玻璃组合物的构成为：按氧化物基准的摩尔%计含有：（a）30%~50%的P2O5、（b）10%~50%的ZnO、（c）0.1%~10%的Al2O3、（d）0%~50%的Li2O、（e）0%~50%的Na2O、（f）0%~50%的K2O、（g）0%~20%的MgO、（h）0%~20%的CaO、（i）0%~20%的SrO、（j）0%~20%的BaO、（k）0%~20%的SnO、（l）0%~5%的B2O3，基本上不含ZrO2和Ag2O，且（a）与（b）的比率（a）/（b）为0.2~2.0。
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公开(公告)号：CN102803170A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180014089.1
申请日：2011-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C03C3/17 , F21K9/232 , F21Y2115/10 , H01L33/56 , H01L2224/16
Abstract: 本发明的目的在于提供能抑制加热时的结晶化、并且实现高折射率、而且能与陶瓷制基板等组合使用的玻璃组合物。其构成为：以氧化物基准的摩尔％计，该玻璃组合物含有（a）30％以上且50％以下的P2O5、（b）25％以上且65％以下的ZnO、（c）0.1％以上且10％以下的Al2O3、（d）0％以上且50％以下的Li2O、（e）0％以上且50％以下的Na2O、（f）0％以上且50％以下的K2O、（g）0％以上且20％以下的MgO、（h）0％以上且20％以下的CaO、（i）0％以上且20％以下的SrO、（j）0％以上且20％以下的BaO、（k）0％以上且20％以下的SnO、（l）0％以上且5％以下的B2O3，并且，（d）Li2O、（e）Na2O、（f）K2O中的至少一种超过0％，（a）与（b）的比例（a）/（b）为0.2以上且2.0以下。
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公开(公告)号：CN102015961A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115835.9
申请日：2009-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , C04B35/44 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/764 , C04B2235/9661 , C09K11/7774 , H01L33/505 , H01L33/644 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光设备包括固态发光器件以及把由所述固态发光器件发出的初级光转换成波长更长的次级光的波长转换器。所述波长转换器是包括透明波长转换层的无机压块，其中所述透明波长转换层包含具有石榴石型晶体结构的磷光体。所述磷光体包含一个组成元素族，所述组成元素族由从包括Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Gd、Tb、以及Lu的一组中选择的至少一种元素构成。所述组成元素族的一部分由Ce3+置换，并且Ce3+的数量小于整个组成元素族的1atomic％。结果，提供一种适于用作点光源的高功率且高度可靠的半导体发光设备。另外，通过简单地应用传统上使用的实用技术来制造所述半导体发光设备。
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