公开(公告)号：CN102741984A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180007817.6

申请日：2011-01-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿米尔·A·亚西尔 ,  朱继 ,  尹石民 ,  戴维·S·L·梅 ,  卡特里娜·米哈利钦科

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 提供了一种用于处理高深宽比纳米结构表面以有助于在与半导体器件的制造有关的一些精密的处理过程中保护精细的纳米结构的方法。对包含高深宽比纳米结构的晶片进行处置以使得纳米结构的表面变得更加疏水。该处置可包括，应用以化学方式改变纳米结构的表面的底料从而防止纳米结构的表面在随后的湿式清洁过程中损坏。该晶片可被进一步处理，例如在湿式清洁过程后进行干燥过程。纳米结构增长的疏水性有助于减少或防止纳米结构的塌陷。

公开(公告)号：CN102714155A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006827.8

申请日：2011-01-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  丹尼斯·肖明 ,  傅乾 ,  格伦·W·盖尔 ,  刘身健 ,  马克·H·威尔科克森

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种处理在半导体设备制造中所使用的晶片的方法。所述方法可包括在所述晶片上形成高深宽比特征，紧随其后是湿处理和干燥。在干燥过程中，可能发生图案塌陷。该图案塌陷可以被修复如以便能进行所述晶片的附加处理。在一些情况下，图案塌陷可以通过蚀刻来修复，其中该蚀刻打破在图案塌陷期间形成的连接。

公开(公告)号：CN102160150A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980137280.8

申请日：2009-07-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  伊扎克·萨巴 ,  德拉甘·波德莱斯尼克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 一种用于在蚀刻后清洁操作过程中从衬底表面上形成的金属栅极结构周围除去聚合物残留的系统和方法，包括确定与该金属栅极结构和要除去的该聚合物残留相关联的多个工艺参数。多个制造层限定该金属栅极结构而该工艺参数限定该制造层和该聚合物残留的性质。确定第一清洁化学物质和第二清洁化学物质并根据该工艺参数确定与该第一和第二清洁化学物质相关联的多个施加参数。使用施加参数以受控方式顺序施加该第一和第二施加化学物质以基本上除去该聚合物残留，同时保留该栅极结构的结构完整性。

公开(公告)号：CN101512049A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200680050094.7

申请日：2006-12-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·M·弗里尔 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  迈克尔·拉夫金 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  弗雷德·C·雷德克

IPC: C25F1/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/10 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0004 ,  C11D17/0013 ,  C23G1/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67051

Abstract: 提供一种用于清洁基片的方法。该方法以将其中具有固体成分的流体层设在该基片的表面为起始。然后产生基本上平行于该基片表面并且朝向该基片外缘的剪切力。在一个实施方式中该剪切力是由施加在与该流体层接触的固体上的力的法向或切线分量形成的。清洗该基片表面以去除该流体层。

公开(公告)号：CN102762314B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201080060192.5

申请日：2010-12-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  丹尼斯·肖明 ,  马克·威尔考克森

IPC: B08B3/04

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 用于利用低表面张力液体处理晶片的系统，其包括：包括能够将所述低表面张力液体加热到低于所述低表面张力液体的沸点不多于25摄氏度的第一热源的低表面张力液体源，用于将已加热的所述低表面张力液体输送到气体/液体交界区域的输送机构以及被定向到所述气体/液体交界区域的第二热源，所述第二热源能够将所述气体/液体交界区域加热到高于所述低表面张力液体的所述沸点至少2摄氏度。还描述了用于用低表面张力液体处理晶片的方法。

公开(公告)号：CN102803564B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080027509.5

申请日：2010-06-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科

IPC: C23G1/00

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/3753 ,  C11D17/0013 ,  C11D17/003

Abstract: 从半导体衬底表面移除污染物的系统、方法和装置，其包括施加清洁材料。所述清洁材料包括清洁溶液和分散于所述清洁溶液的多个微米大小的干聚乙烯醇颗粒。所述清洁溶液为由长聚合链组成的并表现明显的粘弹性的单相聚合物。所述多个微米大小的干聚乙烯醇颗粒吸收所述清洁溶液中的液体并均匀地悬浮在所述清洁材料中。所述悬浮的聚乙烯醇颗粒与半导体衬底表面上污染物的至少一部分相互作用，以从衬底表面释放并移除污染物。释放后的污染物被俘获在所述清洁材料中并与所述清洁材料被移除，留下基本干净的衬底表面。

公开(公告)号：CN102160150B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200980137280.8

申请日：2009-07-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  伊扎克·萨巴 ,  德拉甘·波德莱斯尼克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 一种用于在蚀刻后清洁操作过程中从衬底表面上形成的金属栅极结构周围除去聚合物残留的系统和方法，包括确定与该金属栅极结构和要除去的该聚合物残留相关联的多个工艺参数。多个制造层限定该金属栅极结构而该工艺参数限定该制造层和该聚合物残留的性质。确定第一清洁化学物质和第二清洁化学物质并根据该工艺参数确定与该第一和第二清洁化学物质相关联的多个施加参数。使用施加参数以受控方式顺序施加该第一和第二施加化学物质以基本上除去该聚合物残留，同时保留该栅极结构的结构完整性。

公开(公告)号：CN101512049B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200680050094.7

申请日：2006-12-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·M·弗里尔 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  迈克尔·拉夫金 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  弗雷德·C·雷德克

IPC: C25F1/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/10 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0004 ,  C11D17/0013 ,  C23G1/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67051

Abstract: 提供一种用于清洁基片的方法。该方法以将其中具有固体成分的流体层设在该基片的表面为起始。然后产生基本上平行于该基片表面并且朝向该基片外缘的剪切力。在一个实施方式中该剪切力是由施加在与该流体层接触的固体上的力的法向或切线分量形成的。清洗该基片表面以去除该流体层。

公开(公告)号：CN102762314A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080060192.5

申请日：2010-12-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  丹尼斯·肖明 ,  马克·威尔考克森

IPC: B08B3/04

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 用于利用低表面张力液体处理晶片的系统，其包括：包括能够将所述低表面张力液体加热到低于所述低表面张力液体的沸点不多于25摄氏度的第一热源的低表面张力液体源，用于将已加热的所述低表面张力液体输送到气体/液体交界区域的输送机构以及被定向到所述气体/液体交界区域的第二热源，所述第二热源能够将所述气体/液体交界区域加热到高于所述低表面张力液体的所述沸点至少2摄氏度。还描述了用于用低表面张力液体处理晶片的方法。

公开(公告)号：CN101389414B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200680053425.2

申请日：2006-12-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·M·弗里尔 ,  弗雷德·C·雷德克 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  迈克尔·拉夫金 ,  米哈伊尔·科罗利克

IPC: B08B3/00 ,  B08B7/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/10 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0004 ,  C11D17/0013 ,  C23G1/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67051

Abstract: 提供用于清洁基片的方法。该方法开始于将活化溶液应用于该基片表面。该活化溶液和该基片表面与固态清洁表面的表面接触。该活化溶液被吸收进该固态清洁元件一部分，然后该晶元基片或该固态清洁表面相对彼此移动以清洁该基片表面。还提供一种用遭受塑性变形的固态清洁元件清洁该基片表面的方法。还提供相应的清洁设备。