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公开(公告)号：CN101151663A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680009909.7
申请日：2006-01-27
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01J37/32825 , G11B5/7325 , G11B5/8408
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，它具有卓越的启动操作性能和耐久性以及令人满意的表面润滑性。本发明涉及到一种磁记录介质的制造方法，在这种磁记录介质中，在非磁性基底上顺序层积至少磁性层、保护膜层和润滑剂层，其中，使用在接近大气压的气压下产生的等离子体所激活的气体对所述润滑剂层进行表面处理。本发明也涉及到根据上述制造方法所制造的一种磁记录介质。
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公开(公告)号：CN101015002A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580027290.8
申请日：2005-08-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明是一种用于磁记录介质的制造方法，其中至少磁性层、保护层、和润滑层依次层叠到非磁性基底1上，并且该非磁性基底1使用由在大约大气压下产生的等离子体激活的气体对非磁性基底进行表面处理。作为本发明的结果，通过有效地除去存在于磁记录介质表面上的外界物质和凸起，其可以高产率地制造磁记录介质，具有很少的差错以及良好的磁头浮动性。
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公开(公告)号：CN101421859B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200780013544.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015
Abstract: 一种基于GaN的半导体发光器件1包括叠层体10A和在导电衬底31上形成的第二接合层33，所述叠层体10A具有部件层12并具有由金属制造的第一接合层14作为最外层，部件层12包括每一层均由基于GaN的半导体形成的依次堆叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述第二接合层33适合于将与形成了所述导电衬底31的侧面相对的其表面接合到所述第一接合层14，所述第二接合层33由与所述第一接合层14相同晶体结构的金属制造并沿所述接合表面的垂直方向和所述接合表面的面内方向呈现出相同的晶体取向。
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公开(公告)号：CN100552994C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200680033065.X
申请日：2006-09-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括具有高粘着性的正电极和负电极，可以输出高功率，且不产生热；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括层叠在镀敷层上的至少欧姆接触层、p型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层和n型氮化物半导体层，其中在所述欧姆接触层与所述镀敷层之间形成镀敷粘着层，并且所述镀敷粘着层由包括50质量%或更大的与包含在所述镀敷层中的合金的主要成分相同的成分的合金构成。
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公开(公告)号：CN101427390A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014544.1
申请日：2007-04-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C23C14/5813 , C23C14/086 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供驱动电压(Vf)低、光取出效率高的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及氮化镓系化合物半导体发光元件和灯。所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是在氮化镓系化合物半导体元件(1)的p型半导体层(14)上层叠含有掺杂物的透光性导电氧化膜(15)的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，具备层叠透光性导电氧化膜(15)后，使用激光对该透光性导电氧化膜进行退火处理的激光退火工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101331616A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680046768.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供得到高的出光效率，并降低了驱动电压(Vf)的氮化镓类化合物半导体发光元件。这种氮化镓类化合物半导体发光元件，在该氮化镓类化合物半导体元件的p型半导体层上层叠包含掺杂剂的透光性导电氧化膜而成的氮化镓类化合物半导体发光元件中，构成为，前述p型半导体层与前述透光性导电氧化膜的界面的掺杂剂浓度，与前述透光性导电氧化膜的体块的掺杂剂浓度相比为高浓度，减小前述p型半导体层与透光性导电氧化膜的接触电阻。
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公开(公告)号：CN101258614A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032214.0
申请日：2006-09-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种具有优良的光提取效率的氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法。由氮化镓基化合物半导体获得的发光器件包括：衬底；顺序层叠在衬底11上的n型半导体层13、发光层14和p型半导体层15；层叠在p型半导体15层上的可透光正电极16；设置在可透光正电极16上的正电极接合衬垫17；以及设置在n型半导体层13上的负电极接合衬垫18，其中在p型半导体层15的表面15a的至少一部分上形成无序不平坦表面。
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公开(公告)号：CN1989551A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580022665.1
申请日：2005-06-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 大泽弘
CPC classification number: G11B5/7315 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , Y10T428/115
Abstract: 一种制造用于磁记录介质的基底的方法包括利用包含碱水溶液和表面活性剂的蚀刻剂对硅基底进行化学蚀刻处理。以在表面粗糙度负载曲线中接触比率达到50％处的高度为基准，在高度为1.0nm或更大的区域中所述用于磁记录介质的基底在其表面上具有其接触比率值(BH 1.0nm)为5％或更大且20％或更小的凹凸。利用其上设置有磁性膜、保护膜和润滑剂层的用于磁记录介质的基底，可以提供磁记录介质。以在表面粗糙度负载曲线中接触比率达到50％处的高度为基准，在高度为1.0nm或更大的区域中所述磁记录介质具有其接触比率值(BH 1.0nm)为5％或更大且20％或更小的凹凸。利用所述磁记录介质和适于在所述磁记录介质中记录和再现数据的磁头，可以提供磁记录和再现装置。
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公开(公告)号：CN1178970A
公开(公告)日：1998-04-15
申请号：CN97119394.0
申请日：1997-09-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 包含具有微型凸起的衬底圆盘的磁性记录介质,改变衬底圆盘圆周方向上相邻微型凸起的间距D以满足“1≤[(Dmax－Dmin)/Davg]×100(%)≤200”,其中Dmax,Dmin和Davg是最大、最小和平均间距,除去2.5%最大间距和除去2.5%最小间距,Dmax,Dmin和Davg从剩余的95%的间距中计算。例如可以通过调制激光束脉冲重复频率F使(Fmax－Fmin)/Favg”的比率保持在0.01到100之间来获得凸起间距的变化,Fmax,Fmin和Favg是激光束F的最大、最小和平均值。
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公开(公告)号：CN101331616B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200680046768.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供得到高的出光效率，并降低了驱动电压(Vf)的氮化镓类化合物半导体发光元件。这种氮化镓类化合物半导体发光元件，在该氮化镓类化合物半导体元件的p型半导体层上层叠包含掺杂剂的透光性导电氧化膜而成的氮化镓类化合物半导体发光元件中，构成为，前述p型半导体层与前述透光性导电氧化膜的界面的掺杂剂浓度，与前述透光性导电氧化膜的体块的掺杂剂浓度相比为高浓度，减小前述p型半导体层与透光性导电氧化膜的接触电阻。
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