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公开(公告)号:CN111283206A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN202010141856.6
申请日:2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: B22F7/08 , B22F1/00 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质,金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子,亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量%以上,亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量%以上且90质量%以下。
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公开(公告)号:CN111230125A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN202010103624.1
申请日:2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明提供接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法。本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质,金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子,且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量%以下。
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公开(公告)号:CN110167695A
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201780082937.X
申请日:2017-01-11
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明涉及一种无加压接合用铜糊料,其是包含金属粒子和分散介质的无加压接合用铜糊料,其中,金属粒子包含体积平均粒径为0.01μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2.0μm以上且50μm以下的微米铜粒子,分散介质包含具有300℃以上的沸点的溶剂,且具有300℃以上的沸点的溶剂的含量以无加压接合用铜糊料的总质量为基准,为2质量%以上。
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公开(公告)号:CN107921541A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680051537.8
申请日:2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层,烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的薄片状铜粒子来源的结构,烧结金属层中的铜的含量以烧结金属层的体积为基准计为65体积%以上。
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公开(公告)号:CN107921540A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680051483.5
申请日:2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质,金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子,且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量%以下。
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公开(公告)号:CN104584140A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201380043064.3
申请日:2013-08-05
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: B23K35/3006 , B23K35/025 , B23K35/362 , C22C5/06 , H01B1/22 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/2732 , H01L2224/29139 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32221 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/8384 , H01L2224/92247 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/203 , H01L2924/2064 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 一种银糊组合物,其为包含粒径0.1μm~20μm的银粒子和溶剂的银糊组合物,上述溶剂包含具有大于或等于300℃的沸点的溶剂。
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公开(公告)号:CN111247647A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN201880068703.4
申请日:2018-10-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L35/34 , B22F7/08 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22C19/03 , H01L35/08
Abstract: 本发明的热电转换模块的制造方法为制造具有热电半导体部和高温侧电极及低温侧电极的热电转换模块的方法,所述热电半导体部是p型半导体与n型半导体交替地多个排列而成的,所述高温侧电极及低温侧电极将相邻的所述p型半导体及所述n型半导体电串联地连接,所述高温侧电极接合于所述p型半导体及所述n型半导体的高温热源一侧的接合面,所述低温侧电极接合于所述p型半导体及所述n型半导体的低温热源一侧的接合面,所述制造方法具备通过对设置于所述高温侧电极及所述低温侧电极中的至少一方与所述p型半导体及所述n型半导体之间的含有金属粒子的接合层进行烧结来将其接合的接合工序,所述接合层由含有铜粒子作为所述金属粒子的接合材料形成。
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公开(公告)号:CN107949447A
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201680051482.0
申请日:2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质,金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子,亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量%以上,亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量%以上且90质量%以下。
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