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公开(公告)号：CN101836268B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200880112547.3
申请日：2008-10-20
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01B13/00 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H05K3/10
CPC classification number: H05K3/102 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01L21/4867 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/105 , H05K2203/0315 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , Y10T428/12181 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种低电阻的铜配线图案形成方法以及用于其中的氧化铜粒子分散液，其在几乎不使用铜粒子的耐氧化、分散所必须的表面处理剂的情况下，使用电迁移少、材料自身的单价便宜的铜粒子，能够抑制开裂发生。该铜配线图案形成方法的特征在于，其包含下述工序：使用分散有铜系粒子的分散液在基板上形成任意图案的工序，所述铜系粒子具有氧化铜表面；以及利用原子状氢将所述图案中的铜系粒子表面的氧化铜还原成铜，并使还原而生成的铜金属粒子彼此烧结在一起的工序。
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公开(公告)号：CN111344814A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880073122.X
申请日：2018-11-13
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明公开一种组合物，其含有铜粒子和有机溶剂，有机溶剂包含20℃下的蒸汽压为200Pa以上且20kPa以下的第一有机溶剂及20℃下的蒸汽压为0.5Pa以上且小于200Pa的第二有机溶剂。
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公开(公告)号：CN111283206A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010141856.6
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: B22F7/08 , B22F1/00 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。
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公开(公告)号：CN111230125A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010103624.1
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明提供接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法。本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量％以下。
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公开(公告)号：CN110167695A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082937.X
申请日：2017-01-11
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明涉及一种无加压接合用铜糊料，其是包含金属粒子和分散介质的无加压接合用铜糊料，其中，金属粒子包含体积平均粒径为0.01μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2.0μm以上且50μm以下的微米铜粒子，分散介质包含具有300℃以上的沸点的溶剂，且具有300℃以上的沸点的溶剂的含量以无加压接合用铜糊料的总质量为基准，为2质量％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107921541A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680051537.8
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的薄片状铜粒子来源的结构，烧结金属层中的铜的含量以烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。
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公开(公告)号：CN107921540A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680051483.5
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量％以下。
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公开(公告)号：CN102576693B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080039774.5
申请日：2010-09-06
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H05K3/244 , H01L21/4857 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H05K3/062 , H05K3/108 , H05K3/4644 , H05K3/4652 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供即使在形成微细配线的情况下也能够使桥接的发生减少并且能够获得优异的引线接合性和焊料连接可靠性的半导体芯片搭载用基板的制造方法。本发明的半导体芯片搭载用基板的制造方法具有：抗蚀层形成工序，其在具有内层板和第1铜层的层叠体中的第1铜层上，除了应成为导体电路的部分以外形成抗蚀层，所述内层板在表面具有内层电路，所述第1铜层相隔绝缘层设置在内层板上；导体电路形成工序，其通过电解镀铜在第1铜层上形成第2铜层，得到导体电路；镍层形成工序，其通过电解镀镍在导体电路上的至少一部分形成镍层；抗蚀层除去工序，其将抗蚀层除去；蚀刻工序，其通过蚀刻将第1铜层除去；和金层形成工序，其通过非电解镀金在导体电路上的至少一部分形成金层。
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公开(公告)号：CN111360270A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010311153.3
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: B22F7/08 , B22F1/00 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及接合体及半导体装置，本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜粒子来源的结构，烧结金属层中的铜的含量以烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。
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公开(公告)号：CN111247629A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201880068321.1
申请日：2018-10-23
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 该部件连接方法包括：以规定的印刷图案(9)在各部件(2)、(3)的连接区域(5)形成连接用的铜糊剂的涂膜(8)的印刷工序；经由涂膜(8)层叠各部件(2)、(3)的层叠工序；以及烧结涂膜(8)而形成铜烧结体(4)，并利用该铜烧结体(4)连接各部件(2)、(3)的烧结工序，在印刷工序中，在印刷图案(9)上形成形成涂膜(8)的涂膜形成区域(10)和未形成涂膜(8)的涂膜非形成区域(20)，涂膜形成区域(10)被以连结在连接区域(5)的边缘部(6)相互分离的各点(A)～(D)的方式设置的多个线状区域(21a)～(21c)分割成多个同心状的区域(12a)～(12c)以及多个放射状的区域(13a)、(13b)。
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