公开(公告)号：CN102676093B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210063005.X

申请日：2012-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  盛田美希

IPC: C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  C09J7/02 ,  H01L21/58 ,  H01L21/68

CPC classification number: C08G59/3209 ,  C08G59/621 ,  C08L61/04 ,  C09J7/29 ,  C09J133/068 ,  C09J163/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85097 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y02P20/582 ,  Y10T428/2874 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及芯片接合薄膜及其用途。本发明的目的在于提供在固化前后可以得到充分的胶粘力和高温下的弹性模量，作业性良好，并且在芯片接合薄膜与被粘物的边界处不积存气泡(空隙)，也可以耐受耐湿回流焊接试验的可靠性高的芯片接合薄膜、以及具有该芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜、以及半导体装置的制造方法。本发明的芯片接合薄膜，其含有重均分子量50万以上的含有缩水甘油基的丙烯酸类共聚物(a)和酚醛树脂(b)，所述含有缩水甘油基的丙烯酸类共聚物(a)的含量x相对于酚醛树脂(b)的含量y的重量比(x/y)为5以上且30以下，并且实质上不含有重均分子量5000以下的环氧树脂。

公开(公告)号：CN104231962A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410281410.8

申请日：2014-06-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 龟井胜利 ,  本田哲士 ,  盛田美希 ,  高桥智一 ,  田中俊平

IPC: C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种在贴合于具有凹凸的被加工部件(例如半导体晶圆)时，加工该部件时对该凹凸的追随性优异且保管稳定性和操作性优异的粘合片。其解决方式在于，本发明的粘合片依次具备粘合剂层、中间层以及基材层，该中间层的23℃下的储能模量E’(23)为10MPa～50MPa，该中间层的23℃下的储能模量E’(23)与50℃下的储能模量E’(50)之比(E’(23)/E’(50))为5以下，该中间层的23℃下的储能模量E’(23)与80℃下的储能模量E’(80)之比(E’(23)/E’(80))为90～200。

公开(公告)号：CN104178043A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410222706.2

申请日：2014-05-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 本田哲士 ,  龟井胜利 ,  盛田美希 ,  高桥智一

IPC: C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种半导体晶圆加工用粘合片，其在粘贴于半导体晶圆时、半导体晶圆加工时不会剥离，在加工后能够良好地剥离。本发明的半导体晶圆加工用粘合片对表面粗糙度Ra为0.1nm～1.0nm的半导体晶圆的粘合力在0.10N/20mm以上，对表面粗糙度Ra为13.0nm～16.0nm的半导体晶圆的粘合力在2.00N/20mm以下。

公开(公告)号：CN102911616A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210275227.8

申请日：2012-08-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  盛田美希 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/683 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置。本发明提供即使在高温下长时间暴露也可以减少芯片接合薄膜与被粘物的边界处空隙的产生的芯片接合薄膜。一种芯片接合薄膜，其特征在于，含有含腈基热固性丙烯酸类共聚物和固化剂，使用差示量热计，以10℃/分钟的升温速度从25℃到300℃进行测定时的放热量为10mJ/mg以下。

公开(公告)号：CN103305146B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201310078333.1

申请日：2013-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 龟井胜利 ,  本田哲士 ,  土生刚志 ,  盛田美希 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种高度差追随性优异的粘合片。本发明的粘合片具备粘合剂层和基材层，其中，该粘合剂层在70℃下的弹性模量E’与厚度之积为0.7N/mm以下，且该基材层在70℃下的弹性模量E’为1.0MPa以下。通过制成具备这样的基材层和粘合剂层的粘合片，可以提供贴附时与被粘物的密合性提高、高度差追随性优异的粘合片。

公开(公告)号：CN102911616B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210275227.8

申请日：2012-08-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  盛田美希 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/683 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置。本发明提供即使在高温下长时间暴露也可以减少芯片接合薄膜与被粘物的边界处空隙的产生的芯片接合薄膜。一种芯片接合薄膜，其特征在于，含有含腈基热固性丙烯酸类共聚物和固化剂，使用差示量热计，以10℃/分钟的升温速度从25℃到300℃进行测定时的放热量为10mJ/mg以下。

公开(公告)号：CN104046287A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410087004.8

申请日：2014-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 本田哲士 ,  龟井胜利 ,  盛田美希 ,  高桥智一

IPC: C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种粘合片，其在贴附于半导体晶圆并供于半导体晶圆的背面磨削工序时，能够防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半导体晶圆之间。本发明的粘合片具备包含2种以上树脂的粘合剂层，该粘合剂层中，由利用原子力显微镜测定的与被粘物相接触侧的表面的相位图像获得的、以相位差为纵轴（y轴）、以测定距离为横轴（x轴）的第1方向和垂直于该第1方向的第2方向的线轮廓中，第1方向上的相位差的大小（P1-avg）与第2方向上的相位差的大小（P2-avg）之比（P1-avg/P2-avg）为0.94～1.06。

公开(公告)号：CN103289588A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310066139.1

申请日：2013-03-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  盛田美希 ,  龟井胜利 ,  土生刚志 ,  本田哲士 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  C09J123/00 ,  C09J123/14 ,  C09J123/10 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种保持充分的粘合力且通纸性等剥离隔离膜后的处理性优异的粘合片。本发明的粘合片具备基材层和粘合剂层，该粘合剂层在滚球粘性试验中的球号为2以下，且对硅镜面晶圆的粘合力为0.3N/20mm以上。通过使用这样的粘合片，能够得到兼顾了作为粘合片的充分的粘合力和通纸性等剥离隔离膜后的处理性的粘合片。

公开(公告)号：CN102569263A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110370054.3

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L25/0657 ,  C09J7/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置。本发明的课题在于减少从一个半导体芯片释放的电磁波对同一封装内的另一个半导体芯片、安装的衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。一种半导体装置用胶粘薄膜，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，其特征在于，透过所述半导体装置用胶粘薄膜的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。

公开(公告)号：CN102559085A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110367402.1

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: C09J7/02 ,  H01L23/552 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01079 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于可以在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层，并且可以在不降低生产率的情况下制造具有该电磁波屏蔽层的半导体装置。一种倒装芯片型半导体背面用薄膜，用于在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面上形成，其具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层。