公开(公告)号：CN115141407A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210331949.4

申请日：2022-03-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 程野将行 ,  松富亮人 ,  樽野友浩 ,  河野吉纪 ,  大西秀典 ,  首藤俊介

IPC: C08J9/12 ,  C08J9/26 ,  C08J5/18 ,  C08L101/12 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供处理性优异、并且低回弹性优异的多孔质液晶聚合物片及印刷电路板。多孔质液晶聚合物片(1)的孔隙率P为20％以上且90％以下。多孔质液晶聚合物片(1)的厚度T为1μm以上且240μm以下。

公开(公告)号：CN103531691A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310270747.4

申请日：2013-07-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  片山博之 ,  江部悠纪 ,  大西秀典 ,  福家一浩

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/48 ,  H01L33/00

CPC classification number: H05B33/10 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/501 ,  H01L2224/96 ,  H01L2933/0041

Abstract: 本发明涉及被覆有荧光体层的LED、其制造方法以及LED装置，所述制造方法包括如下工序：LED配置工序，在支撑片的厚度方向的一个面上配置LED；层配置工序，以被覆LED的方式在支撑片的厚度方向的一个面上配置荧光体层，所述荧光体层由含有通过活性能量射线的照射而固化的活性能量射线固化性树脂以及荧光体的荧光树脂组合物形成；固化工序，对荧光体层照射活性能量射线，使荧光体层固化；裁切工序，与LED对应地裁切荧光体层，从而得到具备LED、和被覆LED的荧光体层的被覆有荧光体层的LED；以及LED剥离工序，在裁切工序之后，将被覆有荧光体层的LED从支撑片剥离。

公开(公告)号：CN117062862A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280022822.2

申请日：2022-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河野吉纪 ,  大西秀典 ,  樽野友浩 ,  首藤俊介

IPC: C08J9/12

Abstract: 制造方法具备第1工序、第2工序和第3工序。在第1工序中，对液晶聚合物进行片材化从而形成无孔质片材(3)。在第2工序中，使超临界流体15浸渗至无孔质片材(3)。在第3工序中，使浸渗有超临界流体(15)的无孔质片材3的气氛的压力及温度中的任一者下降以使其低于超临界流体(3)的临界点，由此使无孔质片材3发泡，制造多孔质液晶聚合物片材(1)。

公开(公告)号：CN102952370B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210284848.2

申请日：2012-08-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西秀典 ,  大田真也 ,  福家一浩

IPC: C08L63/00 ,  C08L71/02 ,  C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  C08G59/42 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/56 ,  C08G59/42 ,  C08K5/06 ,  C08K2003/2241 ,  C08L63/00 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  C08L71/02

Abstract: 本发明涉及光学半导体装置用环氧树脂组合物及使用其的光学半导体装置。本发明涉及一种光学半导体装置用环氧树脂组合物，所述光学半导体装置具有光学半导体元件安装区域并具有围绕至少一部分所述区域的反射器，所述环氧树脂组合物为用于形成所述反射器的环氧树脂组合物，所述环氧树脂组合物包含以下成分(A)至(E)：(A)环氧树脂；(B)固化剂；(C)白色颜料；(D)无机填料；以及(E)特定脱模剂。

公开(公告)号：CN102911478B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210273652.3

申请日：2012-08-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福家一浩 ,  大西秀典 ,  大田真也

IPC: C08L63/00 ,  C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  C08K5/5435 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54

CPC classification number: C08K3/22 ,  C08K5/5435 ,  C08K5/544 ,  C08K5/548 ,  C08K2003/2241 ,  C08L63/00 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及环氧树脂组合物、光学半导体装置用引线框和光学半导体装置用衬底、及光学半导体装置。本发明涉及一种光学半导体装置用环氧树脂组合物，包含以下成分(A)至(E)：(A)环氧树脂；(B)固化剂；(C)白色颜料；(D)无机填料；以及(E)硅烷偶联剂，其中，基于全部所述环氧树脂组合物，所述成分(C)和所述成分(D)的总含量为69至94重量%，且所述成分(E)的含量满足特定条件。

公开(公告)号：CN105653083A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510830924.9

申请日：2015-11-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 有马明 ,  河邨良广 ,  大西秀典 ,  小泽博纪 ,  竹安智宏 ,  森田等 ,  川本育郎

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明提供一种透明导电性基材，该透明导电性基材包括透明基材和配线部，配线部具有：导体图案，其设置在透明基材之上；以及黑化层，其设置在导体图案之上。黑化层是含有镍锌合金的单层，黑化层的厚度为30nm～70nm，黑化层中的镍相对于锌的质量比为3.0～105。

公开(公告)号：CN103531697A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310272150.3

申请日：2013-07-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 江部悠纪 ,  片山博之 ,  木村龙一 ,  大西秀典 ,  福家一浩

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/501 ,  H01L21/568 ,  H01L23/28 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/52 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置，该制造方法具有：准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置于支承片的厚度方向一侧；层配置工序，在半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖半导体元件的方式配置于支承片的厚度方向一侧；密封工序，使密封层固化，利用挠性的密封层密封半导体元件；切断工序，在密封工序之后，与半导体元件相对应的将挠性的密封层切断，从而获得具有半导体元件和覆盖半导体元件的密封层的覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，在切断工序之后，将覆有密封层的半导体元件从支承片剥离下来。

公开(公告)号：CN103531514A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310272048.3

申请日：2013-07-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 江部悠纪 ,  片山博之 ,  木村龙一 ,  大西秀典 ,  福家一浩

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置。该制造方法具有：准备工序，准备具有形成有在厚度方向上贯通的通孔的硬质的支承板和以覆盖通孔的方式层叠在支承板的厚度方向一侧的表面的粘合层的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置在粘合层的在厚度方向上与贯通孔相对的厚度方向一侧的表面；半导体元件覆盖工序，利用密封层覆盖半导体元件，从而获得覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，通过使推压部件从厚度方向另一侧插入上述通孔，从而将覆有密封层的半导体元件从粘合层剥离下来。