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公开(公告)号：CN111727506A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201880083604.3
申请日：2018-02-13
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明的半导体装置包括：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；形成在漂移层的一个主面上的接合区域；包含第二导电型掺杂物的结终端扩展区域；以及包含比结终端扩展区域更高浓度的第二导电型掺杂物的保护环区域，其特征在于：在结终端扩展区域中，第二导电型掺杂物的从一个主面向深度方向的浓度在从一个主面到达第一深度为止是上升的，一个主面处的第二导电型掺杂物的浓度小于等于第一深度处的第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于漂移层处的第一导电型掺杂物的浓度。
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公开(公告)号：CN107078167A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580001788.0
申请日：2015-08-27
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。
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公开(公告)号：CN102132388A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133246.3
申请日：2009-08-25
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L21/329 , H01L29/73 , H01L29/80
CPC classification number: H01L29/732 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/42304 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/6609 , H01L29/66295 , H01L29/66416 , H01L29/7722 , H01L29/8613 , H01L2224/06181 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种降低双极型晶体管的表面态(即表面能级)密度、提高其电流增幅率，从而提高晶体管的性能的双极型半导体装置。双极型半导体装置(100)的半导体元件表面具有表面保护膜(30)，该表面保护膜由在半导体元件表面上形成的热氧化膜(31)和在热氧化膜上形成的堆积氧化膜(32)构成。所述堆积氧化膜中包含的氢元素或氮元素中，至少有一种在1018cm-3以上。
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公开(公告)号：CN1838390A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610065382.1
申请日：2006-03-23
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7722
Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。
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