公开(公告)号：CN102683430A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210067432.5

申请日：2012-03-06

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  大泽良平 ,  荒木克隆 ,  渡部善之

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1608

Abstract: 在基板的中心区域，形成有横跨邻接护圈层的第二半导体层和邻接该第二半导体层的第二半导体层之间的第三绝缘层。即，在第二半导体层与第二半导体层之间，形成有覆盖了在基板的第一面(一侧的主面)露出的第一半导体层的第三绝缘层。这样，第三绝缘层在第二半导体层和第二半导体层之间，使在基板11的第一面11a露出的第一半导体层和金属层之间电气绝缘。

公开(公告)号：CN107078167B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201580001788.0

申请日：2015-08-27

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  小笠原淳 ,  大泽良平 ,  涉川昭彦

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。

公开(公告)号：CN107078167A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580001788.0

申请日：2015-08-27

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  小笠原淳 ,  大泽良平 ,  涉川昭彦

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。

公开(公告)号：CN102683430B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210067432.5

申请日：2012-03-06

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  大泽良平 ,  荒木克隆 ,  渡部善之

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1608

Abstract: 在基板的中心区域，形成有横跨邻接护圈层的第二半导体层和邻接该第二半导体层的第二半导体层之间的第三绝缘层。即，在第二半导体层与第二半导体层之间，形成有覆盖了在基板的第一面(一侧的主面)露出的第一半导体层的第三绝缘层。这样，第三绝缘层在第二半导体层和第二半导体层之间，使在基板11的第一面11a露出的第一半导体层和金属层之间电气绝缘。