公开(公告)号：CN107078167B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201580001788.0

申请日：2015-08-27

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  小笠原淳 ,  大泽良平 ,  涉川昭彦

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。

公开(公告)号：CN107078167A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580001788.0

申请日：2015-08-27

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  小笠原淳 ,  大泽良平 ,  涉川昭彦

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。