公开(公告)号：CN102683430A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210067432.5

申请日：2012-03-06

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  大泽良平 ,  荒木克隆 ,  渡部善之

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1608

Abstract: 在基板的中心区域，形成有横跨邻接护圈层的第二半导体层和邻接该第二半导体层的第二半导体层之间的第三绝缘层。即，在第二半导体层与第二半导体层之间，形成有覆盖了在基板的第一面(一侧的主面)露出的第一半导体层的第三绝缘层。这样，第三绝缘层在第二半导体层和第二半导体层之间，使在基板11的第一面11a露出的第一半导体层和金属层之间电气绝缘。

公开(公告)号：CN102683430B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210067432.5

申请日：2012-03-06

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  大泽良平 ,  荒木克隆 ,  渡部善之

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1608

Abstract: 在基板的中心区域，形成有横跨邻接护圈层的第二半导体层和邻接该第二半导体层的第二半导体层之间的第三绝缘层。即，在第二半导体层与第二半导体层之间，形成有覆盖了在基板的第一面(一侧的主面)露出的第一半导体层的第三绝缘层。这样，第三绝缘层在第二半导体层和第二半导体层之间，使在基板11的第一面11a露出的第一半导体层和金属层之间电气绝缘。