公开(公告)号：CN102097462A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010532941.1

申请日：2010-10-21

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  堀内明彦 ,  根来佑树 ,  露口士夫 ,  浅田毅 ,  清水正章

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7322 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66272

Abstract: 本发明提供一种可以通过简单的流程进行生产、成品率高、具有较高电流放大率的双极型半导体装置。双极晶体管10具有：在半导体结晶基板9的一面形成的由n型低阻抗层构成的集电区11、设置在集电区上的n型的第1高阻抗区12、设置在第1高阻抗区上的p型基区13、在半导体结晶板的另一面形成的n型低阻抗的发射区14、在发射区与基区之间设置为与发射区相接触的n型第2高阻抗区15、设置在第2高阻抗区周围并与其接触的n型复合抑制区17、以及与复合抑制区接邻设置并与基区接合的p型低阻抗基极接触区16，第2高阻抗区15及复合抑制区17的杂质浓度分别在1×1017cm-3以下。

公开(公告)号：CN102132388A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980133246.3

申请日：2009-08-25

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 根来佑树 ,  堀内明彦 ,  岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  前山雄介 ,  佐藤雅 ,  清水正章

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/73 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66295 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种降低双极型晶体管的表面态(即表面能级)密度、提高其电流增幅率，从而提高晶体管的性能的双极型半导体装置。双极型半导体装置(100)的半导体元件表面具有表面保护膜(30)，该表面保护膜由在半导体元件表面上形成的热氧化膜(31)和在热氧化膜上形成的堆积氧化膜(32)构成。所述堆积氧化膜中包含的氢元素或氮元素中，至少有一种在1018cm-3以上。