公开(公告)号：CN102187464B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200980138316.4

申请日：2009-10-06

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  佐藤雅 ,  露口士夫

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。

公开(公告)号：CN102187464A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980138316.4

申请日：2009-10-06

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  佐藤雅 ,  露口士夫

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。

公开(公告)号：CN102097462A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010532941.1

申请日：2010-10-21

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  堀内明彦 ,  根来佑树 ,  露口士夫 ,  浅田毅 ,  清水正章

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7322 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66272

Abstract: 本发明提供一种可以通过简单的流程进行生产、成品率高、具有较高电流放大率的双极型半导体装置。双极晶体管10具有：在半导体结晶基板9的一面形成的由n型低阻抗层构成的集电区11、设置在集电区上的n型的第1高阻抗区12、设置在第1高阻抗区上的p型基区13、在半导体结晶板的另一面形成的n型低阻抗的发射区14、在发射区与基区之间设置为与发射区相接触的n型第2高阻抗区15、设置在第2高阻抗区周围并与其接触的n型复合抑制区17、以及与复合抑制区接邻设置并与基区接合的p型低阻抗基极接触区16，第2高阻抗区15及复合抑制区17的杂质浓度分别在1×1017cm-3以下。