公开(公告)号：CN1909191A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108343.5

申请日：2006-08-02

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩黑弘明 ,  西川恒一 ,  清水正章 ,  福田裕介

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/8083 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明披露了一种离子注入掩模(10)的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材(11)的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜(12)；在所述氧化物膜(12)上形成金属薄膜(13)；在所述金属薄膜(13)上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层(14)。所得的离子注入掩模(10)可以用来形成较深的选择性导电区域。

公开(公告)号：CN1838428A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065386.X

申请日：2006-03-23

Applicant: 新电元工业株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  西川恒一 ,  福田祐介 ,  清水正章 ,  佐藤雅 ,  岩黑弘明 ,  野中贤一

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅半导体器件。一种半导体器件，包括：绝缘膜；第一半导体层，其具有第一导电型4H－SiC的第一主要成分；以及第二半导体层，其具有第二导电型4H－SiC的第二主要成分。所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的pn结。该pn结具有结边缘。所述第一半导体层和第二半导体层进一步包含局部区域，所述局部区域包含所述结边缘。所述局部区域具有与所述钝化膜相接的第一主平面。所述第一主平面的法线从第一轴[0001]或者[000－1]向第二轴 倾斜在25度到45度范围内的第一倾角。

公开(公告)号：CN100499051C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610065382.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三 ,  岩黑弘明 ,  清水正章 ,  福田祐介 ,  西川恒一 ,  前山雄介

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722

Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。

公开(公告)号：CN100543938C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200610108343.5

申请日：2006-08-02

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩黑弘明 ,  西川恒一 ,  清水正章 ,  福田裕介

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/8083 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明披露了一种离子注入掩模(10)的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材(11)的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜(12)；在所述氧化物膜(12)上形成金属薄膜(13)；在所述金属薄膜(13)上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层(14)。所得的离子注入掩模(10)可以用来形成较深的选择性导电区域。

公开(公告)号：CN1838390A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065382.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三 ,  岩黑弘明 ,  清水正章 ,  福田祐介 ,  西川恒一 ,  前山雄介

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722

Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。