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公开(公告)号：CN105637643A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480003420.3
申请日：2014-09-24
Applicant: 新电元工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1608 , G06F17/5068 , H01L21/02529 , H01L21/76895 , H01L23/535 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0642 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/66068 , H01L29/66666 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 碳化硅半导体装置包括:第一导电型碳化硅层32,第二导电型碳化硅层36,栅极沟槽20,被设置在栅极沟槽20内的栅极电极79,以及直到比栅极沟槽20更深的深度处被形成的保护沟槽10。在水平方向上，包含栅极沟槽20，以及将栅极沟槽20的仅一部分在水平方向上包围的保护沟槽10这两者的区域成为单元(cell)区域，在水平方向上，包含保护沟槽10，且设置有栅极衬垫89或者与该栅极衬垫89相连接的布置电极的区域成为栅极区域。在单元区域中的栅极沟槽20的上方以及栅极区域中设有第二导电构件81，该第二导电构件81被设置为经过单元区域中不设有保护沟槽10的地方的上方，从栅极沟槽20的上方起延展到栅极区域。
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公开(公告)号：CN111937158B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201880091637.2
申请日：2018-04-11
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 半导体装置具有：半导体基板；第一导电型的漂移层；第二导电型的阱区；所述第二导电型的高浓度区域；所述第一导电型的源极区域；被设置在所述漂移层上的绝缘膜；经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触的第一接触金属膜；被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触的第二接触金属膜；以及被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面的源电极膜。其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，所述第二接触金属膜包含钛。
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公开(公告)号：CN111727506A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201880083604.3
申请日：2018-02-13
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明的半导体装置包括：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；形成在漂移层的一个主面上的接合区域；包含第二导电型掺杂物的结终端扩展区域；以及包含比结终端扩展区域更高浓度的第二导电型掺杂物的保护环区域，其特征在于：在结终端扩展区域中，第二导电型掺杂物的从一个主面向深度方向的浓度在从一个主面到达第一深度为止是上升的，一个主面处的第二导电型掺杂物的浓度小于等于第一深度处的第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于漂移层处的第一导电型掺杂物的浓度。
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公开(公告)号：CN106575610B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580007867.2
申请日：2015-08-12
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/268 , H01L21/329 , H01L29/868
Abstract: 一种碳化硅半导体装置的制造方法，依次包含：研磨工序，通过从第二主面114侧对碳化硅半导体基体110进行研磨，从而在所第二主面形成凹凸；金属薄膜形成工序，在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜118；激光照射工序，通过对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物120；蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层122利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成工序，在金属碳化物上形成阴电极126。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及粘着特性的欧姆电极的碳化硅半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN105637644B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201480003425.6
申请日：2014-09-24
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 碳化硅半导体装置包括:第一导电型碳化硅层32,第二导电型碳化硅层36,栅极沟槽20,被设置在栅极沟槽20内的栅极电极79,以及直到比栅极沟槽20更深的深度处被形成的保护沟槽10。在水平方向上，包含栅极沟槽20，以及以开口的状态将栅极沟槽20的至少一部分在水平方向上包围的保护沟槽10这两者的区域成为单元(cell)区域，在水平方向上，包含保护沟槽10，且设置有栅极衬垫89或者与该栅极衬垫89相连接的布置电极的区域成为栅极区域。被包含在单元区域中的保护沟槽10具有在水平方向上直线延伸的多个单元区域直线沟槽11。而且，单元区域直线沟槽11间的水平方向距离D1比被包含在栅极区域中的保护沟槽10间的最大水平方向距离D3更长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078167A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580001788.0
申请日：2015-08-27
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。
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公开(公告)号：CN105637644A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480003425.6
申请日：2014-09-24
Applicant: 新电元工业株式会社
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/4238 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7811
Abstract: 碳化硅半导体装置包括:第一导电型碳化硅层32,第二导电型碳化硅层36,栅极沟槽20,被设置在栅极沟槽20内的栅极电极79,以及直到比栅极沟槽20更深的深度处被形成的保护沟槽10。在水平方向上，包含栅极沟槽20，以及以开口的状态将栅极沟槽20的至少一部分在水平方向上包围的保护沟槽10这两者的区域成为单元(cell)区域，在水平方向上，包含保护沟槽10，且设置有栅极衬垫89或者与该栅极衬垫89相连接的布置电极的区域成为栅极区域。被包含在单元区域中的保护沟槽10具有在水平方向上直线延伸的多个单元区域直线沟槽11。而且，单元区域直线沟槽11间的水平方向距离D1比被包含在栅极区域中的保护沟槽10间的最大水平方向距离D3更长。
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公开(公告)号：CN107078167B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201580001788.0
申请日：2015-08-27
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。
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