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公开(公告)号：CN111937158B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201880091637.2
申请日：2018-04-11
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 半导体装置具有：半导体基板；第一导电型的漂移层；第二导电型的阱区；所述第二导电型的高浓度区域；所述第一导电型的源极区域；被设置在所述漂移层上的绝缘膜；经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触的第一接触金属膜；被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触的第二接触金属膜；以及被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面的源电极膜。其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，所述第二接触金属膜包含钛。
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公开(公告)号：CN111937158A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091637.2
申请日：2018-04-11
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 半导体装置具有：半导体基板；第一导电型的漂移层；第二导电型的阱区；所述第二导电型的高浓度区域；所述第一导电型的源极区域；被设置在所述漂移层上的绝缘膜；经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触的第一接触金属膜；被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触的第二接触金属膜；以及被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面的源电极膜。其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，所述第二接触金属膜包含钛。
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公开(公告)号：CN213071148U
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201890001587.X
申请日：2018-04-11
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 半导体装置包括：半导体基板，其由碳化硅构成；第一导电型的漂移层，其被形成在所述半导体基板的一个主面上；第二导电型的阱区，其被形成在所述漂移层上；所述第一导电型的源极区域，其被形成在所述阱区上；绝缘膜，其被形成在所述漂移层上；接触金属膜，其被形成在所述绝缘膜上，并且经由设置于所述绝缘膜的开口部来接触所述源极区域及所述阱区这两个区域；以及源电极膜，其被形成为：接触所述接触金属膜。其中，所述接触金属膜包含氮化钛。
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