公开(公告)号：CN210030037U

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201920145463.5

申请日：2019-01-28

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·阿勒加托 ,  F·韦尔切西 ,  L·M·卡斯托尔迪 ,  L·奥吉欧尼 ,  M·佩尔勒蒂

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本公开涉及半导体裸片以及电子系统。半导体裸片包括：MEMS设备，包括具有通孔腔体的结构本体、在结构本体的第一侧处悬置在腔体之上的膜；以及过滤模块，在与第一侧相对的第二侧处直接耦合至结构本体，过滤模块的第一部分在腔体之上延伸，并且过滤模块的第二部分无缝地延伸为结构本体的延长部，其中过滤模块的第一部分包括多个通孔开口，多个通孔开口被配置为使腔体与半导体裸片的外部环境进行流体连通，并且同时阻挡污染颗粒从外部环境传到声室。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207390996U

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201720760087.1

申请日：2017-06-27

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： S·克斯坦蒂尼 ,  M·卡米纳蒂 ,  D·A·L·加蒂 ,  L·M·卡斯托尔迪 ,  R·卡尔米纳蒂

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: G02B26/0833 ,  B81B3/0083 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00714 ,  B81C2203/032 ,  G02B26/105

Abstract: 本实用新型涉及微机电设备。该微机电设备(20)在覆盖并键合至第二晶片(70)的第一晶片(40)中形成。固定部分(91)、可移动部分(92)以及将该可移动部分和该固定部分弹性耦合的弹性元件在该第一晶片中形成。该可移动部分承载致动元件(60)，这些致动元件被配置成用于控制该可移动部分相对于该固定部分的相对移动，例如，旋转。该第二晶片通过该第一晶片的突起(66)键合至该第一晶片，这些突起是通过选择性地移除半导体层(43)的一部分而形成的。对由该第一和第二晶片形成的复合晶片进行切割以形成多个MEMS设备。

公开(公告)号：CN216946212U

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202122952681.X

申请日：2021-11-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体国际有限公司

Inventor： E·杜奇 ,  L·巴尔多 ,  P·菲拉里 ,  B·维格纳 ,  F·F·维拉 ,  L·M·卡斯托尔迪 ,  I·格尔米

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；换能微结构，在所述基底中；盖，耦合到所述基底，并且所述盖具有面向所述基底的第一面以及外部第二面；通道，穿过所述盖从所述第二面延伸到所述第一面，并且所述通道与所述换能微结构流体连通，所述通道包括内部侧壁；多孔多晶硅的保护膜，所述保护膜跨过所述通道并且在所述通道的所述内部侧壁上。利用本公开的实施例有利地增加了设计以及制造半导体换能器的灵活性。

公开(公告)号：CN205416751U

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201520865018.8

申请日：2015-11-02

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·法拉利 ,  L·M·卡斯托尔迪 ,  P·菲拉里 ,  M·卡米纳蒂

IPC: B41J2/015 ,  B41J29/38

CPC classification number: B41J2/1433 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1643

Abstract: 在此公开的实施例涉及一种微流体器件，该微流体器件包括：喷嘴板，包括电介质层、衬底层和喷嘴；腔室本体，所述腔室本体包括半导体衬底、在所述半导体衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的半导体层；腔室，至少部分地形成在所述半导体层中并且由所述喷嘴板所覆盖，所述腔室与所述喷嘴流体连通；流体入口，包括穿过所述腔室本体并且与所述腔室流体连通的孔口。

公开(公告)号：CN204384864U

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201420365209.3

申请日：2014-06-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体国际有限公司

Inventor： D·法拉里 ,  B·维格纳 ,  L·M·卡斯托尔迪

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本实用新型公开一种包含流体路径的MEMS器件及设备。MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。本实用新型公还包括了使用本器件的设备。一种使用本器件的设备。