公开(公告)号：CN1144285C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN99100787.5

申请日：1999-03-01

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 松原义久 ,  井口学 ,  伊藤信和 ,  铃木三惠子 ,  土屋泰章

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/763 ,  H01L21/7684

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基片(1)，形成于半导体基片(1)上具有至少一个沟槽或孔(5)的绝缘层(4)，覆盖于沟槽或孔(5)的内壁的阻挡金属层(6)，至少一层导电层(7)形成于阻挡金属层(6)上，填充沟槽或孔(5)，其中设X代表具有最大布线长度的导电层(7)中的沟槽或孔(5)的最大深度，Y代表导电层(7)的厚度，Y比X的比率(X/Y)被设定为小于或等于0.1。该半导体器件能够避免在导电膜(7)中出现碟状凹陷。

公开(公告)号：CN1655356B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200510007923.0

申请日：2005-02-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 川原尚由 ,  村濑宽 ,  大窪宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01C7/1013 ,  H01L27/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。

公开(公告)号：CN1227413A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN99100787.5

申请日：1999-03-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松原义久 ,  井口学 ,  伊藤信和 ,  铃木三惠子 ,  土屋泰章

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/763 ,  H01L21/7684

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基片(1)，形成于半导体基片(1)上具有至少一个沟槽或孔(5)的绝缘层(4)，覆盖于沟槽或孔(5)的内壁的阻挡金属层(6)，至少一层导电层(7)形成于阻挡金属层(6)上，填充沟槽或孔(5)，其中设X代表具有最大布线长度的导电层(7)中的沟槽或孔(5)的最大深度，Y代表导电层(7)的厚度，Y比X的比率(X/Y)被设定为小于或等于0.1。该半导体器件能够避免在导电膜(7)中出现碟状凹陷。

公开(公告)号：CN101452931B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810189692.3

申请日：2005-01-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/015 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。

公开(公告)号：CN1231505A

公开(公告)日：1999-10-13

申请号：CN99105497.0

申请日：1999-04-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 伊藤信和

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76873 ,  C23C14/042 ,  C23C14/50 ,  C23C14/568 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843

Abstract: 一种半导体装置的制造方法是用夹具环遮蔽硅圆片的外周缘部由溅射法形成TiN势垒膜,然后用内径尺寸大的夹具环由溅射法形成Cu片膜。让Cu片膜覆盖TiN势垒膜在广面积上形成。即使在TiN势垒膜和Cu片膜覆成膜时发生位置错位,也可以防止TiN势垒膜露出,使得成膜在Cu片膜覆上的铜镀膜不会从TiN势垒膜上剥离,防止渣子的产生,抑制由于该渣子所造成的半导体装置的不合格品的产生,提高半导体装置的制造成品率。