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公开(公告)号：CN1655356B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200510007923.0
申请日：2005-02-05
CPC classification number: H01C7/1013 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
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公开(公告)号：CN1107980C
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN98100862.3
申请日：1998-02-26
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 大窪宏明
CPC classification number: H01L27/1112 , G11C11/412
Abstract: 一种静态存储单元，其中包括两个与电源线Vcc连接的负载电阻(R1、R2)、两个交叉耦合的驱动晶体管(Qd1、Qd2)和两个变晶体管(Qt1、Qt2)，驱动晶体管(Qd1、Qd2)连接在负载电阻(R1、R2)和两根地线(Vss1、Vss2)之间，两个变换晶体管(Qt1、Qt2)连接在负载电阻和两根数据线(DL1、DL2)之间，数据线平行于电源线和地线，而不跨越电源线或地线。
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公开(公告)号：CN1677668A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510055997.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/16 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。
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公开(公告)号：CN1193190A
公开(公告)日：1998-09-16
申请号：CN98100862.3
申请日：1998-02-26
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 大窪宏明
CPC classification number: H01L27/1112 , G11C11/412
Abstract: 一种静态存储单元,其中包括两个与电源线Vcc连接的负载电阻(R1、R2)、两个交叉耦合的驱动晶体管(Qd1、Qd2)和两个变晶体管(Qt1、Qt2),驱动晶体管(Qd1、Qd2)连接在负载电阻(R1、R2)和两根地线(Vss1、Vss2)之间,两个变换晶体管(Qt1、Qt2)连接在负载电阻和两根数据线(DL1、DL2)之间,数据线平行于电源线和地线,而不跨越电源线和地线。
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公开(公告)号：CN104915708B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510232362.8
申请日：2010-10-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06K19/077 , G11C16/22
CPC classification number: G06K19/073 , G11C7/24 , H03K19/017509
Abstract: 本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104915708A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510232362.8
申请日：2010-10-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06K19/077 , G11C16/22
CPC classification number: G06K19/073 , G11C7/24 , H03K19/017509
Abstract: 本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。
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公开(公告)号：CN101640198B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910164692.2
申请日：2009-07-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L27/0733 , H01L27/0928
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。N阱的每一个与隐埋P阱接触的区域的宽度不大于2μm。地电压和电源电压被分别施加给P阱和N阱。去耦电容器被形成在N阱与隐埋P阱之间。
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公开(公告)号：CN102043979A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010513375.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06K19/077 , G11C16/22
CPC classification number: G06K19/073 , G11C7/24 , H03K19/017509
Abstract: 本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。
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公开(公告)号：CN100385666C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510055997.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/16 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。
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公开(公告)号：CN1655356A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510007923.0
申请日：2005-02-05
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01C7/1013 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
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