公开(公告)号：CN101431046B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810169680.4

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  任康树 ,  梅休尔·内克 ,  崔振江 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  夏立群

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙。

公开(公告)号：CN101187011A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710165136.8

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 达斯廷·W·胡 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  凯尔文·陈 ,  纳加拉简·雷杰戈帕兰 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉马克里史南

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明公开了一种用于沉积有机硅化介质层的方法，所述方法通过将衬底定位在具有电极的处理腔室中，将一种或多种氧化气体流入处理腔室，将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字液体流量计流到第一蒸发器注射阀，将有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中，保持第一有机硅流速以在RF电源存在下沉积初始层，将孔原物化合物从第二大容量储存器中以第一孔原物流速经过第二数字流量计流到第二蒸发器注射阀，将孔原物化合物蒸发并将该孔原物化合物和一种载气流到处理腔室中，在RF电源存在下，增加第一有机硅流速和第一孔原物流速，同时沉积过渡层，并保持第二有机硅流速和第二孔原物流速以在RF电源存在下沉积含有孔原物的有机硅化介质层。