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公开(公告)号：CN114303224A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080059520.3
申请日：2020-08-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/505 , C23C16/509
Abstract: 本文所述的一个或多个实施例总体上涉及利用高射频(RF)功率来改进均匀性的半导体处理设备。半导体处理设备包括设置在基板支撑元件中的RF供能的主网和RF供能的次网。次RF网放置在主RF网下方。连接组件经配置以将次网耦合至主网。流出主网的RF电流被分配进入多个连接结。这样，即使在总RF功率/电流较高的情况下，因为RF电流散布到多个连接结，防止了主网上出现热点。据此，对基板温度和膜非均匀性具有较小的影响，从而允许使用高得多的RF功率，而不会在正被处理的基板上引起局部热点。
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公开(公告)号：CN113994023A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080043412.7
申请日：2020-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 胡良发 , P·K·库尔施拉希萨 , A·M·帕特尔 , A·A·哈贾 , V·卡尔塞卡尔 , V·K·普拉巴卡尔 , S·T·B·托卡奇丘 , B·S·权 , R·林杜尔派布恩 , K·D·李 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 本公开涉及用于在处理腔室中的基板处理期间减少硬件残留物的形成并最小化二次等离子体形成的系统和方法。处理腔室可包含气体分配构件，所述气体分配构件被配置成使第一气体流入处理容积并从第一气体产生等离子体。第二气体被供应到处理容积的下部区域中。此外，排气端口设置在下部区域中以在处理期间或之后从处理容积移除过量的气体或副产物。
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公开(公告)号：CN113874548A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080038428.9
申请日：2020-03-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/505 , H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 一种基板底座，包括：导热基板支撑件，导热基板支撑件包括网格；导热杆，导热杆中包括多个导通棒，各个导通棒具有第一端及第二端；以及传感器。各个导通棒的第一端电气耦合至网格，且传感器布置于各个导通棒的第一端及第二端之间，且配置成检测流过各个导通棒的电流。
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公开(公告)号：CN120048727A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510100174.3
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/033 , C23C16/50 , C23C16/26 , C23C16/04 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN118448237A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410624390.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112106169B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201980029768.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN117981067A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280063649.0
申请日：2022-08-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可包括限定传送区域的腔室主体。系统可包括安置在腔室主体上的盖板。盖板可限定第一多个孔和第二多个孔。系统可包括与第一多个孔的数量相等的多个盖堆叠。每个盖堆叠可包括扼流板，所述扼流板沿着扼流板的第一表面安置在盖板上。扼流板可限定与第一多个孔中的相关联孔轴向对齐的第一孔。扼流板可限定与第二多个孔中的相关联孔轴向对齐的第二孔。扼流板可限定从扼流板的顶表面和底表面中的每一者延伸的突出部，所述突出部围绕第一孔基本对称地布置。
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公开(公告)号：CN114127887A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080050639.4
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传递区域的腔室主体。系统可以包括第一盖板，第一盖板沿着第一盖板的第一表面安置在腔室主体上，并且限定穿过该板的多个孔。第一盖板还可在每个孔周围限定凹进的突出部分。系统可以包括多个盖堆叠，多个盖堆叠的数量等于多个孔中的孔的数量。每个盖堆叠可以安置在第一盖板的分离的凹进的突出部分上的第一盖板上。多个盖堆叠可至少部分地限定从传递区域垂直偏移的多个处理区域。系统还可以包括与多个盖堆叠耦接的第二盖板。
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公开(公告)号：CN112106169A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980029768.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN112041967A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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