公开(公告)号：CN117203749A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030924.9

申请日：2022-03-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·拉斯 ,  T·A·恩古耶 ,  A·班塞尔 ,  张宇星 ,  B·N·拉马穆尔蒂 ,  N·帕塔克 ,  A·A·哈贾 ,  S·M·博贝克

IPC: H01L21/67

Abstract: 示例性半导体处理系统可包括限定至少一个等离子体出口的输出歧管。系统可包括设置在输出歧管下方的气箱。气箱可包括面向输出歧管的入口侧和与入口侧相对的出口侧。气箱可包括限定中心流体管腔的内壁。内壁可从入口侧到出口侧向外逐渐变细。系统可包括设置在气箱下方的环形间隔件。环形间隔件的内径可大于中心流体管腔的最大内径。系统可包括设置在环形间隔件下方的面板。面板可限定延伸穿过面板厚度的多个孔。

公开(公告)号：CN116137930A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202180057838.2

申请日：2021-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·K·萨布莱曼尼 ,  Y·郭 ,  S·A·法泽里 ,  N·帕塔克 ,  B·N·拉马穆尔蒂 ,  K·贝拉 ,  李晓璞 ,  P·A·克劳斯 ,  S·斯里尼瓦桑

IPC: H01L21/677

Abstract: 示例性基板处理系统可包括腔室主体，所述腔室主体限定传送区域。系统可包括第一盖板，所述第一盖板沿第一盖板的第一表面安置在腔室主体上。第一盖板可限定穿过第一盖板的多个孔口。系统可包括与穿过第一盖板限定的多个孔口的孔口数量相等的多个盖堆叠。系统可包括多个隔离器。多个隔离器中的隔离器可定位在多个盖堆叠中的每个盖堆叠与穿过第一盖板限定的多个孔口中的对应孔口之间。系统可包括多个介电板。多个介电板中的介电板可安置在多个隔离器中的每个隔离器上。

公开(公告)号：CN114174554A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080054583.X

申请日：2020-07-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·帕塔克 ,  张宇星 ,  T·A·恩古耶 ,  K·高希 ,  A·班塞尔 ,  J·C·罗查

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32

Abstract: 处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。

公开(公告)号：CN113906159A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080041335.1

申请日：2020-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·帕塔克 ,  K·沙阿 ,  A·K·班塞尔 ,  T·A·恩古耶 ,  J·C·罗查 ,  D·伯拉尼克

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

Abstract: 本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。