公开(公告)号：CN116313912A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310271331.8

申请日：2017-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·泰德斯奇 ,  纪丽丽 ,  O·朱伯特 ,  D·卢博米尔斯基 ,  P·A·克劳斯 ,  D·T·麦克科米克

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/544 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。

公开(公告)号：CN108604557A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680080073.3

申请日：2016-12-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·泰德斯奇 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H01L21/66

Abstract: 实施例包括自知基板和用于利用自知基板的方法。在一个实施例中，处理自知基板的方法可包括启动自知基板上的处理操作。处理操作可以是在生产基板上的功能装置的制造中所使用的任何处理操作。该方法可进一步包括接收来自自知基板上的一或多个传感器的输出信号。在一些实施例中，一或多个传感器形成在基板的非生产区域上。该方法可进一步包括将输出信号和与一或多个处理条件相关联的端点标准比较。例如，端点标准可与处理条件(如膜厚度)相关联。该方法可进一步包括当满足该端点标准时，结束该处理操作。

公开(公告)号：CN108780765B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201780016331.6

申请日：2017-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·泰德斯奇

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 实施例包括用于检测由晶片处理工具执行的材料沉积和材料移除的装置和方法。在实施例中，安装于晶片处理工具的处理腔室上的一或多个微传感器能够在真空条件下操作和/或可在无等离子体晶片制造处理期间实时测量材料沉积和移除速率。亦描述及主张其他实施例。

公开(公告)号：CN116525489A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310473128.9

申请日：2016-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·泰德斯奇 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 实施例包括工艺监测装置及使用这种工艺监测装置的方法。在实施例中，该工艺监测装置包括一基板。该工艺监测装置亦可包括多个传感器，该多个传感器形成在该基板的一支撑面上。按照实施例，每个传感器能够产生对应于一处理状况的一输出信号。此外，实施例包括一工艺监测装置，其包括形成在该基板上的一网络接口装置。按照实施例，该多个传感器的每一个通信耦合至该网络接口装置。该网络接口装置允许在处理操作期间将得自所述传感器的所述输出信号无线传送至一外部计算机。

公开(公告)号：CN115066737A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180013444.7

申请日：2021-01-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 潘尧令 ,  P·J·唐 ,  L·泰德斯奇 ,  P·A·克劳斯 ,  M·D·威尔沃斯

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/00

Abstract: 描述了用于等离子体腔室条件监测的电容传感器及电容感测位置。在一示例中，等离子体处理腔室包括腔室壁，所述腔室壁环绕处理区域。腔室盖在所述腔室壁之上并且在所述处理区域上方。腔室地板在所述腔室壁下并且在所述处理区域下方。支撑基座在所述处理区域中且在所述腔室盖下方并且在所述腔室地板上方，并且所述支撑基座被所述腔室壁环绕。电容传感器模块可在所述腔室壁的开口中。腔室盖可包括电容传感器模块。腔室地板可包括排气端口及在所述排气端口内或相邻于所述排气端口的电容传感器模块。支撑基座可包括环结构，所述环结构环绕基板支撑区域，并且电容传感器模块在所述环结构的开口中。

公开(公告)号：CN108352338A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063593.3

申请日：2016-10-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·泰德斯奇 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/94 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/20

Abstract: 实施例包含用于检测晶片处理工具中的颗粒的装置及方法。在实施例中，具有晶片形状因素的颗粒监控装置包含多个微传感器，该多个微传感器能够在所有压力方案中(例如，在真空条件下)操作。颗粒监控装置可包含时钟，以当微传感器的参数响应于接收晶片处理工具的腔室内的颗粒而改变时输出时间值。可使用微传感器的位置或时间值以确定颗粒的来源。同样描述且要求保护其他实施例。