-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115699252A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180042460.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物流动至半导体处理腔室的处理区域中。基板可容纳在处理区域内，且基板可维持在低于或约450℃的温度下。方法可包括冲击含硅前驱物的等离子体。方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。非晶硅层的特征可在于小于或约3％的氢掺入。
-
公开(公告)号：CN113544310A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019065.4
申请日：2020-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本文讨论了使用脉冲式RF等离子体来形成非晶膜和微晶膜的系统和方法。形成膜的方法可以包括：(a)由膜前驱物在处理腔室中形成等离子体以及(b)脉冲RF功率源以使由RF功率源产生的脉冲的工作循环的工作循环导通时间(TON)小于工作循环的总循环时间(TTOT)的约20％，以形成膜。方法可以进一步包括：(c)在处理腔室中的基板上沉积第一膜中间层；(d)在(c)之后，净化处理腔室；以及(e)在(d)之后，将氢等离子体引入处理腔室。此外，在方法中，重复(b)‑(e)以形成膜。膜可具有小于约10％的膜内氢含量。
-
公开(公告)号：CN106653674A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610972233.7
申请日：2016-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/68742 , C23C16/4581 , H01L21/68757
Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。
-
公开(公告)号：CN206401293U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621195983.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/68742 , C23C16/4581 , H01L21/68757
Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。
-
公开(公告)号：CN207925445U
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201720958948.7
申请日：2016-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述基板支撑组件包括一个或多个升降杆，每个升降杆包括第一末端和第二末端，所述第二末端通过轴耦接至所述第一末端，所述第一末端具有平面的顶表面和扩口部分，所述扩口部分设置在所述平面的顶表面与所述轴之间；以及具有基板支撑表面的基板支撑件，所述基板支撑件包括多个通孔，其中所述多个通孔的尺寸被设定为允许所述升降杆穿过，并且每个孔具有外围内表面，所述外围内表面以一斜率设置以使得每个升降杆的所述扩口部分当与所述外围内表面接触时提供0.001密耳至21密耳的所述基板支撑表面与所述平面的顶表面之间的距离。
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.017 seconds)
