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公开(公告)号：CN116525400A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310691393.4
申请日：2019-12-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , V·S·C·帕里米 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
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公开(公告)号：CN105977125B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610141134.4
申请日：2016-03-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , M·阿优伯 , R·博卡 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。
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公开(公告)号：CN105977125A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610141134.4
申请日：2016-03-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , M·阿优伯 , R·博卡 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117529575A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280042368.7
申请日：2022-05-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·M·博贝克 , R·黄 , A·A·哈贾 , A·班塞尔 , 李铜衡 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , T·A·恩古耶 , S·河 , A·M·帕特尔 , R·林杜尔派布恩 , K·嘉纳基拉曼 , K·D·李
IPC: C23C16/44
Abstract: 处理腔室的示例性方法可包括将清洁前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成清洁前驱物的等离子体。方法可包括将清洁前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括氧化物涂层。方法可包括停止等离子体流出物的输送。方法可包括在停止等离子体流出物的输送之后，使用输送到处理区域的含氢材料来处理氧化物涂层。
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公开(公告)号：CN110291408B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201880012154.9
申请日：2018-01-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·A·哈贾
Abstract: 一种电压‑电流传感器，所述电压‑电流传感器实现更精确测量被输送到高温处理区域的RF功率的电压、电流和相位。所述传感器可包括平面主体、测量开口、电压拾取器以及电流拾取器，所述平面主体包括非有机的电绝缘材料，所述测量开口形成于平面主体中，所述电压拾取器设置在测量开口周围，并且所述电流拾取器设置在测量开口周围。由于传感器的平面配置和材料成分，传感器可设置在等离子体处理腔室的高温表面附近或与等离子体处理腔室的高温表面接触。
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公开(公告)号：CN114175207A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080049741.2
申请日：2020-04-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： F·吴 , A·A·哈贾 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01J37/32
Abstract: 处理系统包括腔室主体、基板支撑件和盖组件。所述基板支撑件位于所述腔室主体中并且包括第一电极。所述盖组件定位在腔室主体上方并限定处理容积。所述盖组件包括面板、定位于所述面板和所述腔室主体之间的第二电极、以及定位于所述第二电极和所述处理容积之间的绝缘构件。电源系统耦接所述第一电极和所述面板，并且设置为在所述处理容积中生成等离子体。
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公开(公告)号：CN112166497A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201980035398.3
申请日：2019-05-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , 胡良发 , S·S·拉斯 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开一般关于用于半导体处理的基板支撑件。在一个实施例中，提供了基板支撑件。基板支撑件包括：主体，包含基板夹持表面；电极，设置在主体内；多个基板支撑特征，形成在基板夹持表面上，其中基板支撑特征的数量从基板夹持表面的中心到基板夹持表面的边缘径向增加；以及调节层，形成在多个基板支撑特征上，调节层包含氮化硅。
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