公开(公告)号：CN119422226A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380052463.X

申请日：2023-07-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王新科 ,  沈泽青 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  唐杰丛 ,  约翰·苏迪约诺 ,  马克·萨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  G03F7/11

Abstract: 描述了在EUV光刻胶上沉积保形含碳膜以降低线边缘粗糙度(LER)的方法。示例性处理方法可包括使第一前驱物在图案化的EUV表面上方流动以在结构上形成初始含碳膜的第一部分。这些方法可包括从图案化的EUV光刻胶移除第一前驱物流出物。可随后使第二前驱物在图案化的EUV光刻胶上方流动以与初始含碳膜的第一部分反应。这些方法可包括从图案化的EUV光刻胶移除第二前驱物流出物。这些方法可包括蚀刻该基板以移除含碳膜的一部分并暴露图案化表面的顶表面及暴露图案化表面之间的基板。

公开(公告)号：CN119174301A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202380038663.X

申请日：2023-05-09

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： 辰丹·达斯 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  苏普里亚·戈什 ,  约翰·苏迪约诺 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  唐洁聪 ,  穆罕默德·朱维·M

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H01L21/285

Abstract: 描述过渡金属二硫族化物膜及用于在基板上沉积过渡金属二硫族化物膜的方法。亦描述用于将过渡金属氧化物膜转化成过渡金属二硫族化物膜的方法。将基板暴露于金属前驱物及氧化剂以形成过渡金属氧化物膜；将过渡金属氧化物膜暴露于硫族化物前驱物以形成过渡金属二硫族化物膜。

公开(公告)号：CN118414449A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280084026.1

申请日：2022-12-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 辰丹·达斯 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  苏普里亚·戈什 ,  唐洁聪 ,  约翰·苏迪约诺 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  马克·萨利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30

Abstract: 叙述了过渡金属二硫化物膜和用于在基板上沉积过渡金属二硫化物膜的方法。还叙述了用于将过渡金属氧化物膜转换成过渡金属二硫化物膜的方法。将基板暴露于金属前驱物和氧化剂以形成过渡金属氧化物膜；将过渡金属氧化物膜暴露于硫属化物前驱物以形成过渡金属二硫化物膜。

公开(公告)号：CN109791913A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059692.9

申请日：2017-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·汤普森 ,  本杰明·施密格 ,  杰弗里·W·安西斯 ,  阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  段子晴

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述多种处理方法，所述方法包括：透过掩模选择性正交地生长第一材料，而提供扩展的第一材料。可移除该掩模，而留下从该第一材料的表面正交延伸的该扩展的第一材料。进一步的处理可产生自对准通孔。