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公开(公告)号：CN106463361A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580021601.3
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯·帕贝利科 , 罗伊·沙维夫 , 约翰·L·克洛克 , 埃迈什·T·伊斯梅尔
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76882 , C25D3/32 , C25D3/38 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/50 , C25D5/505 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/7685 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L21/76883 , H01L2221/1089
Abstract: 一种用于至少部分地填充工件上的特征的方法，所述方法包括使用电镀电解液在工件上形成的种晶层上电化学沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离子，约6至约13的pH范围，有机添加剂，以及第一金属络合剂与第二金属络合剂。
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公开(公告)号：CN104241197A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410259232.9
申请日：2014-06-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 , 罗伊·沙维夫
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/2885 , H01L21/76846 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76882 , H01L2221/1089
Abstract: 本发明是在具有高薄层电阻的工件上的电化学沉积。一种用于至少部分填充工件上的部件的方法通常包括以下步骤：获得包括部件的工件；将第一导电层沉积在部件中，其中第一导电层的薄层电阻大于10欧姆/方；通过电化学沉积将第二导电层沉积在部件中，其中电气接触件至少部分地浸没在沉积化学品中。
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公开(公告)号：CN110233099B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201910263027.2
申请日：2015-03-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/288 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L23/532 , C23C18/16 , C25D3/12 , C25D5/10 , C25D5/14 , C25D5/50 , C25D7/00 , C25D7/12
Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。
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公开(公告)号：CN114144540A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052387.9
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·N·勒纳 , 罗伊·沙维夫 , 萨蒂什·拉德哈基什南
Abstract: 本文所述的一个或多个实施方式一般涉及在半导体处理中用于在基板上形成膜的方法和系统。在本文所述的多个实施方式中，提供一种处理腔室，包括盖板，具有形成于盖板中的多个冷却通道；基座，具有形成于基座中的多个冷却通道；和喷淋头，其中喷淋头包含多个区段，并且各个区段至少部分被屏蔽物环绕。
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公开(公告)号：CN104979278B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201510154527.4
申请日：2015-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗伊·沙维夫
IPC: H01L21/768
Abstract: 包括沟槽(110)和(186)和过孔(202)的导电互连是通过在工件之上施加介电膜堆叠(120)，且之后在膜堆叠之上施加光刻胶(140)而形成在工件(100)中。沟槽(142)在光刻胶中被图案化，其中所述沟槽处于彼此端对端设置的区段中。区段在将要安置过孔(202)的位置处彼此纵向地间隔开。沟槽被蚀刻到介电膜堆叠中，且随后用导电材料填充以形成金属线段(186)。过孔(192)在分离纵向相关的线(186)的相邻端的间隙中被图案化。图案化的过孔被蚀刻且然后用导电材料填充，其中相邻线段(186)的端部用于在沿着沟槽长度的方向上准确地定位过孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051336B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201410099406.X
申请日：2014-03-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 , 罗伊·沙维夫 , 梅于尔·奈克
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种用于在工件上产生互连的方法，所述方法包括获得具有特征结构的工件基板，在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构，如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构，施加铜覆盖物，热处理所述工件，以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。
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公开(公告)号：CN107208295A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580075674.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C25D3/12 , C25D5/10 , C25D5/18 , C25D5/50 , C25D7/12 , C25D17/00 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 一种晶片电镀系统具有至少一个第一电镀腔室，所述第一电镀腔室具有含钴离子的第一电解质，并且适于以第一沉积速率电镀钴膜到晶片上。第二电镀腔室具有含钴离子的第二电解质，并且适于以第二沉积速率电镀钴膜到所述晶片上，所述第二沉积速率比所述第一沉积速率大。所述第一电镀腔室与第二电镀腔室处于处理系统的围壁内。机械手在所述第一电镀腔室与第二电镀腔室之间移动晶片。
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公开(公告)号：CN106104757A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013199.4
申请日：2015-03-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。
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公开(公告)号：CN105274595A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510290730.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗伊·沙维夫 , 伊斯梅尔·T·埃迈什 , 迪米特里奥斯·阿吉里斯 , 塞尔达·阿克苏
IPC: C25D5/10
Abstract: 根据本公开案的一个实施方式，提供了一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法，所述方法包含：使用电镀电解液以及施加在约-1V至约-6V范围内的阴极电势来在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离子和约6至约11的pH范围。其中所述工件包括设置在所述工件的所述种晶层和电介质表面之间的阻挡层，所述阻挡层包含第一金属，所述第一金属具有比0V更负性的标准电极电势，以及所述种晶层包含第二金属，所述第二金属具有比0V更正性的标准电极电势。
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公开(公告)号：CN104979278A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510154527.4
申请日：2015-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗伊·沙维夫
IPC: H01L21/768
Abstract: 包括沟槽(110)和(186)和过孔(202)的导电互连是通过在工件之上施加介电膜堆叠(120)，且之后在膜堆叠之上施加光刻胶(140)而形成在工件(100)中。沟槽(142)在光刻胶中被图案化，其中所述沟槽处于彼此端对端设置的区段中。区段在将要安置过孔(202)的位置处彼此纵向地间隔开。沟槽被蚀刻到介电膜堆叠中，且随后用导电材料填充以形成金属线段(186)。过孔(192)在分离纵向相关的线(186)的相邻端的间隙中被图案化。图案化的过孔被蚀刻且然后用导电材料填充，其中相邻线段(186)的端部用于在沿着沟槽长度的方向上准确地定位过孔。
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