公开(公告)号：CN110062954A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201780073548.0

申请日：2017-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  穆罕纳德·穆斯塔法 ,  哈米德·塔瓦索利 ,  史蒂芬·V·桑索尼 ,  振雄·蔡 ,  维卡什·班西埃

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 本揭示案的实施方式关于用于与腔室内加热器及基板旋转机构一起使用的处理配件。在与本揭示案一致的一些实施方式中，用于与可旋转基板支撑件加热器台座一起使用以用于在处理腔室中支撑基板的处理配件可包含：上方边缘环，所述上方边缘环包含顶部突出部和从所述顶部突出部向下延伸的裙部；下方边缘环，所述下方边缘环至少部分支撑所述上方边缘环且使所述上方边缘环与所述基板支撑件加热器台座对准；底板，所述底板设置于所述处理腔室的底部上，所述底板在所述基板支撑件加热器台座处于降低的非处理位置时支撑所述上方边缘环；以及遮蔽环，所述遮蔽环在所述基板支撑件加热器台座处于升高的处理位置时与所述上方边缘环耦接。

公开(公告)号：CN110024132A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780071771.1

申请日：2017-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  马飞跃 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  维卡什·班西埃 ,  吴凯 ,  詹·跃·王 ,  常梅

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324

Abstract: 形成触点线的方法包括清洁在沟槽中的钴膜的表面及在此钴的表面上形成保护层，此保护层包括硅化物或锗化物中的一或多种。也公开了具有触点线的半导体装置。