公开(公告)号：CN113811982B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202080034737.9

申请日：2020-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开涉及用于结构化半导体基板的方法和装置。在一个实施例中，一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后，通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上，以在基板中形成期望的特征，同时抗蚀剂层的未曝光或未烧蚀部分屏蔽基板的其余部分。然后将基板暴露于蚀刻工艺和剥离工艺中以去除抗蚀剂层并释放载体。

公开(公告)号：CN114762099A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080081984.4

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥 ,  B·斯托纳斯 ,  J·德尔马斯

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

公开(公告)号：CN113811982A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080034737.9

申请日：2020-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开涉及用于结构化半导体基板的方法和装置。在一个实施例中，一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后，通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上，以在基板中形成期望的特征，同时抗蚀剂层的未曝光或未烧蚀部分屏蔽基板的其余部分。然后将基板暴露于蚀刻工艺和剥离工艺中以去除抗蚀剂层并释放载体。