公开(公告)号：CN108475695B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201680072836.X

申请日：2016-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邴希·孙·伍德 ,  迈克尔·G·沃德 ,  孙诗雨 ,  迈克尔·丘吉克 ,  纳姆·孙·基姆 ,  仲华 ,  黄奕樵 ,  殷正操 ,  张郢 ,  池农·倪 ,  林·董 ,  冬青·杨

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/41 ,  H01L21/768 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开内容提供用于在半导体芯片的环绕式水平栅极(hGAA)结构中以期望的材料形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法。在一个实例中，在基板上形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法包含：在基板上执行横向蚀刻工艺，该基板上设置有多材料层，其中该多材料层包含重复成对的第一层及第二层，该第一层及该第二层各自具有分别在该多材料层中暴露的第一侧壁及第二侧壁，其中横向蚀刻工艺主要蚀刻该第二层并蚀刻穿过该第二层而在该第二层中形成凹部；以介电质材料填充该凹部；和从该凹部移除过度填充的介电质层。

公开(公告)号：CN107078060B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201580059711.9

申请日：2015-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张郢 ,  仲华

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 在此提供用于形成FinFET结构的方法与设备。本文所述的选择性蚀刻与沉积工艺可提供于FinFET的制造而无需利用多重图案化工艺。本文所述的实施例也提供鳍片材料的制造方法，该方法用于从硅转变成三五族材料，同时维持所用的各种材料的可接受的晶格取向。进一步的实施例提供蚀刻设备，该蚀刻设备可用于执行本文所述的方法。

公开(公告)号：CN107546108A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710619906.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿布舍克·杜贝 ,  仲华 ,  王振宇 ,  李学斌 ,  黄奕樵 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在外延膜的顶表面上形成外延层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

公开(公告)号：CN1319146C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN02821269.X

申请日：2002-10-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈岭 ,  仲华 ,  肖恩·M·瑟特尔 ,  迈克尔·X·杨 ,  奚明 ,  文森特·库 ,  吴典晔 ,  艾伦·乌业 ,  诺曼·纳卡希玛 ,  巴里·金 ,  张弘

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。

公开(公告)号：CN108475695A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680072836.X

申请日：2016-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邴希·孙·伍德 ,  迈克尔·G·沃德 ,  孙诗雨 ,  迈克尔·丘吉克 ,  纳姆·孙·基姆 ,  仲华 ,  黄奕樵 ,  殷正操 ,  张郢 ,  池农·倪 ,  林·董 ,  冬青·杨

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/41 ,  H01L21/768 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0673 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795

Abstract: 本公开内容提供用于在半导体芯片的环绕式水平栅极(hGAA)结构中以期望的材料形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法。在一个实例中，在基板上形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法包含：在基板上执行横向蚀刻工艺，该基板上设置有多材料层，其中该多材料层包含重复成对的第一层及第二层，该第一层及该第二层各自具有分别在该多材料层中暴露的第一侧壁及第二侧壁，其中横向蚀刻工艺主要蚀刻该第二层并蚀刻穿过该第二层而在该第二层中形成凹部；以介电质材料填充该凹部；和从该凹部移除过度填充的介电质层。

公开(公告)号：CN107430994A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680020520.6

申请日：2016-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿布舍克·杜贝 ,  李学斌 ,  黄奕樵 ,  仲华 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636

Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550℃至约800℃的温度，将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源及包含卤素的气体引入处理腔室，且在基板上沉积包含磷的含硅外延层，该含硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或以上的磷浓度，其中该含硅外延层在约150托或以上的腔室压力下沉积。

公开(公告)号：CN107112213A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580054090.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿布舍克·杜贝 ,  仲华 ,  王振宇 ,  李学斌 ,  黄奕樵 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851

Abstract: 本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在外延膜的顶表面上形成外延层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

公开(公告)号：CN119943655A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510001242.0

申请日：2019-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄奕樵 ,  仲华

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/42

Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种在基板上选择性地沉积硅锗材料的方法。所述方法包括：将所述基板定位在基板处理腔室内，所述基板上具有介电材料和含硅单晶；将所述基板维持在约450℃或更低的温度处；将所述基板暴露于工艺气体，所述工艺气体包括：硅源气体、锗源气体、蚀刻剂气体、载气和至少一种掺杂剂源气体；和在所述基板上外延地和选择性地沉积第一硅锗材料。

公开(公告)号：CN110783171B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201910694021.0

申请日：2019-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄奕樵 ,  仲华

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种在基板上选择性地沉积硅锗材料的方法。所述方法包括：将所述基板定位在基板处理腔室内，所述基板上具有介电材料和含硅单晶；将所述基板维持在约450℃或更低的温度处；将所述基板暴露于工艺气体，所述工艺气体包括：硅源气体、锗源气体、蚀刻剂气体、载气和至少一种掺杂剂源气体；和在所述基板上外延地和选择性地沉积第一硅锗材料。

公开(公告)号：CN114551229A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210091935.X

申请日：2016-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿布舍克·杜贝 ,  李学斌 ,  黄奕樵 ,  仲华 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/205

Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550℃至约800℃的温度，将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源及包含卤素的气体引入处理腔室，且在基板上沉积包含磷的含硅外延层，该含硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或以上的磷浓度，其中该含硅外延层在约150托或以上的腔室压力下沉积。