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公开(公告)号：CN1324560C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200380101025.0
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN1703739A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380101025.0
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN1208757C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03101543.3
申请日：2003-01-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/324
Abstract: 一种电流垂直于平面(CPP)结构的磁阻元件包括旋阀膜。在包含于旋阀膜的非磁性中间层从导电层之间确定一个边界。磁性金属材料和绝缘材料存在于该边界上。绝缘材料减小读出电流路径的截面面积。相应于在自由磁性层中的磁化的旋转，该CPP结构的磁阻元件实现在电阻中较大变化。采用较小的读出电流来获得电压的较大变化。相应地，CPP结构的磁阻元件大大地有助于记录密度的提高以及减小电能消耗。
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公开(公告)号：CN1479387A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03132882.2
申请日：2003-07-24
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 在自由磁层的表面上形成上电极的较小电极层。与自由磁层表面上的较小电极层相邻形成绝缘材料的磁畴控制膜。根据磁畴控制膜与自由磁层之间的磁交换耦合在单一方向上定向自由磁层的磁化。仅通过较小电极层在自由磁层与上电极之间建立电连接。自由和被钉扎磁层中的感测电流路径可以减小。因此，可以在CPP结构磁阻元件中获得较高的灵敏度。在CPP结构磁阻元件中，有效磁芯宽度也可以减小。
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公开(公告)号：CN1110795C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN98117092.7
申请日：1998-12-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , G11B5/3945 , G11B2005/3996 , Y10S977/934
Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头，其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层(14)发出的进入自由磁层(12)的静磁场为GMR磁头的自由磁层(12)设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分(10)和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分(20)。检测部分(10)除了包括自由磁层(12)和被锁定磁层(14)外，还包括特定布置的中间层(13)和反铁磁层(15)。磁场矫正部分(20)可以和检测部分(10)具有相同的结构。
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公开(公告)号：CN1402224A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02105798.2
申请日：2002-04-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49046
Abstract: 一种磁阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁阻薄膜。该磁阻磁头进一步包括位于所述磁阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1319900A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01103366.5
申请日：2001-02-02
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F10/3295
Abstract: 一种磁传感器,其包括由软铁磁材料的第一磁性层、非磁性层、铁磁材料的第二磁性层和反铁磁层构成的层状结构和用于检测外部磁场变化为电阻变化并将其输出的转换元件,至少一部分第一磁性层由Ni－Fe材料构成,以wt%计算的Ni含量XNi和以纳米表示的其厚度t满足上式表示的关系:其中,BBulk1=－53.78J/cm3,BBulk2=－0.6638J/cm3,BSurf1=1.7548×10－6J/cm2,BSurf2=－2.432×10－8J/cm2。还公开了一种包括磁头和磁记录介质的磁存储器,其中磁头使用根据本发明的磁传感器。
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公开(公告)号：CN101252166A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810080432.2
申请日：2008-02-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3929 , G11B2005/3996
Abstract: 一种CPP型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由CoFeGe形成，所述CoFeGe的成分落入三元成分图表中由连接坐标点A、B、C、D的线段所限定的范围内，其中点A为(42.5，30，27.5)，点B为(35，52.5，12.5)，点C为(57.5，30.0，12.5)，点D为(45.0，27.5，27.5)，并且其中各坐标点由用原子百分比(at.％)表示的(Co，Fe，Ge)的含量百分比来表示。还提供包括上述磁阻器件的磁头、磁存储设备及磁存储器。能获得较高的MR比，并提高输出电平。
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公开(公告)号：CN100378803C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510060177.1
申请日：2005-03-31
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3929 , G11B5/39 , G11B5/3903 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，其具有垂直平面电流结构，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层(24)之上。
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公开(公告)号：CN1299257C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN02828592.1
申请日：2002-03-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/313 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件，磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低阻区(46a)，以及一个沿着上边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区(46b)。该高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电阻薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动，该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电阻元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电阻元件中可保持足够的灵敏度。
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