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公开(公告)号：CN105047572B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510101427.5
申请日：2015-03-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/78 , B23K20/004 , B23K20/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/05599 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/78252 , H01L2224/78313 , H01L2224/78353 , H01L2224/78611 , H01L2224/789 , H01L2224/85048 , H01L2224/85099 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85399 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 提供一种能够将直径500μm以上且600μm以下的引线引线接合到半导体元件上的电极的引线接合装置以及引线接合方法。在本发明的引线接合装置、即通过引线接合来对电极与铝合金制的引线进行电连接的引线接合装置(100)中，具备：引线提供装置(10)，其用于提供直径500μm以上且600μm以下的引线(6)；加热装置(11)，其用于将引线(6)加热到50℃以上且100℃以下；加压装置(12)，其用于在电极(2、7)处对引线(6)进行加压；以及超声波产生装置(13)，其用于对由加压装置(12)加压后的引线(6)施加超声波振动。
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公开(公告)号：CN105103279B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201480019763.9
申请日：2014-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K101/40 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2101/42 , B23K2103/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013
Abstract: 焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成，或者由该第一部分和第二部分构成。另外，焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此，能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。
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公开(公告)号：CN105103279A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480019763.9
申请日：2014-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K101/40 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2101/42 , B23K2103/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013
Abstract: 焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成，或者由该第一部分和第二部分构成。另外，焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此，能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105009295A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010591.9
申请日：2014-03-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/045 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/28568 , H01L21/324 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7802
Abstract: 在将n-外延层(2)堆积在SiC基板(1)的正面上而成的外延基板的正面侧设置有由p基区(3)、p外延层(4)、n++源区(5)、p+接触区(6)、n反转区(7)、栅绝缘膜(8)以及栅极(9)构成的MOS栅结构和正面电极(13)。在正面电极(13)的表面上，在正面电极(13)的表面的10％以上的区域、优选在60％以上且90％以下的区域设置有第一金属膜(21)。这样的SiC-MOSFET通过在形成背面电极(15)后，在正面电极(13)的表面形成第一金属膜(21)，进行N2气氛下的退火而制成。通过上述工序，在使用了SiC半导体的半导体装置中，能够抑制栅阈值电压的下降。
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公开(公告)号：CN116802777A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280008843.9
申请日：2022-05-10
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 齐藤隆
IPC: H01L21/52
Abstract: 提供在使用由烧结材料构成的接合层的半导体装置中能够防止寿命的偏差的半导体装置。具备：导电板(11a)，其具有主面；半导体芯片(3)，其与导电板(11a)的主面相向地配置；以及接合层(2a)，其配置于导电板(11a)与半导体芯片(3)之间，具有多孔性的烧结材料，其中，接合层(2a)与导电板(11a)的接合界面(21)的第一外缘位于比半导体芯片(3)的外周靠内侧、且比接合层(2a)与半导体芯片(3)的接合界面(22)的第二外缘靠内侧的位置。
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公开(公告)号：CN110246772A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910529230.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，本发明的半导体装置为通过键合线(7)将半导体芯片(1)和电路图案(4)电连接的模块结构的半导体装置，在半导体芯片(1)的正面电极的表面形成有正面金属膜，在该正面金属膜通过引线键合而接合有键合线(7)。就半导体芯片(1)而言，在Si基板或SiC基板的正面具有正面电极，在背面具有背面电极。正面金属膜为厚度在例如3μm以上且7μm以下的Ni膜或Ni合金膜。键合线(7)为通过将引线键合前的结晶粒度控制在例如1μm以上且20μm以下的范围内，从而提高了再结晶温度且使强度得到了提高的Al线。由此，能够提供实现了大电流导通和高温动作的高可靠性的半导体装置。
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公开(公告)号：CN107924889A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201780002986.8
申请日：2017-03-16
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明能够减少在散热板产生的损伤。在半导体装置(100)中，在散热板(140)的背面的第一接合区(142)形成多个小的凹坑，多个凹坑以部分重合的方式构成。通过对在背面产生了条纹状等的损伤的散热板(140)形成如上所述的多个小的凹坑，并且多个凹坑以部分重合的方式构成，从而能够除去背面的损伤，能够减少损伤。另外，如果在散热板(140)的背面的第一接合区(142)形成如上所述的多个小的凹坑，则该背面的第一接合区(142)的硬度变高。因此，防止对背面的第一接合区(142)由多个凹坑部分重合而构成的散热板(140)的背面产生损伤。
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公开(公告)号：CN107431053A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680012709.0
申请日：2016-09-12
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 防止对半导体芯片的损伤而抑制半导体装置的散热性下降。具有：准备散热基座的工序(步骤S101)；对散热基座的背面进行喷丸处理的工序(步骤S102)；利用金属材料对散热基座的正面和背面进行镀覆的镀覆处理工序(步骤S103)；通过加热将进行了喷丸处理的散热基座、隔着焊料配置在散热基座的正面且具有绝缘板和设置在绝缘板的正面的电路板的层叠基板、以及隔着焊料配置在电路板上的半导体芯片进行焊料接合的工序。由此，能够在将半导体芯片、层叠基板、散热基座组装之前，通过喷丸处理对散热基座施加初始翘曲(向下凸起)，因此，不会对半导体芯片、焊料带来损伤。
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