公开(公告)号：CN111886682B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN201980021045.8

申请日：2019-10-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  目黑美佐稀 ,  儿玉奈绪子 ,  伊仓巧裕 ,  野口晴司 ,  原田祐一 ,  樱井洋辅

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D12/00 ,  H10D62/80

Abstract: 提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

公开(公告)号：CN112204710B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201980034474.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 目黒美佐稀 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  儿玉奈绪子 ,  阿形泰典

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

公开(公告)号：CN117836952A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280051893.5

申请日：2022-06-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  吉村尚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移区，其设置于具有正面和背面的半导体基板；以及第一导电型或第二导电型的背面侧区域，其在所述半导体基板中，设置于比所述漂移区更靠所述半导体基板的背面侧的位置，且原子密度比所述漂移区的原子密度高，所述背面侧区域的原子密度分布具有：平缓梯度区，其在所述半导体基板的深度方向上，掺杂剂的原子密度从所述背面侧朝向所述半导体基板的正面侧增加；陡峭梯度区，其设置于比所述平缓梯度区更靠所述正面侧的位置，且所述掺杂剂的原子密度以比所述平缓梯度区的原子密度梯度更大的原子密度梯度增加；峰区，其设置于比所述陡峭梯度区更靠所述正面侧的位置，且在所述掺杂剂的原子密度分布中具有峰；以及减小区，其设置在所述峰区与所述漂移区之间，且在所述半导体基板的深度方向上所述掺杂剂的原子密度朝向所述漂移区减小。

公开(公告)号：CN108376701B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201711444099.4

申请日：2017-12-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明期望调整电位梯度的变化，以便不会因电阻膜的电场而在位于电阻膜下的半导体基板产生雪崩。本发明提供半导体装置，该半导体装置具备半导体基板，半导体基板具有：边缘终端部，其包含外缘区域，所述外缘区域在半导体基板的表面的端部设置于预定的深度范围且是杂质区域；以及有源部，其包含阱区，所述阱区在半导体基板的表面的比外缘区域靠内侧的位置设置于预定的深度范围且是导电型与半导体基板的漂移区的导电型不同的杂质区域，半导体装置还具备：绝缘膜，其在半导体基板的表面上，至少设置于外缘区域与阱区之间，且具有锥形部；以及电阻膜，其设置于绝缘膜上，将外缘区域与阱区电连接，绝缘膜的锥形部的锥角为60度以下。

公开(公告)号：CN114902426A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202180007761.8

申请日：2021-07-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  白川彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 提供一种半导体装置，其包括：第一导电型的漂移区，设置于半导体基板；第一导电型的场截止区，设置于漂移区的下方，具有一个或多个峰；以及第二导电型的集电极区，设置于场截止区的下方，在将集电极区的积分浓度设为x[cm‑2]，将一个或多个峰中的从半导体基板的背面起算最浅的第一峰的深度设为y1[μm]，并设线A1：y1＝(‑7.4699E‑01)ln(x)+(2.7810E+01)、线B1：y1＝(‑4.7772E‑01)ln(x)+(1.7960E+01)的情况下，第一峰的深度和积分浓度处于线A1与线B1之间的范围。

公开(公告)号：CN109417093B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201880002603.1

申请日：2018-01-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  吉村尚 ,  泷下博

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供具有缓冲区的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的漂移层，其设置于半导体基板；以及缓冲区，其设置于漂移层，具有多个第一导电型的掺杂浓度的峰，缓冲区具有：第一峰，其具有预先确定的掺杂浓度，且在多个峰中设置于最靠近半导体基板的背面侧的位置；以及高浓度峰，其具有比第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度，设置于比第一峰靠半导体基板的上表面侧的位置。

公开(公告)号：CN112204710A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980034474.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 目黒美佐稀 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  儿玉奈绪子 ,  阿形泰典

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 高精度地控制通过结晶缺陷与氢结合而产生的施主区域的范围和施主浓度。提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

公开(公告)号：CN112055887B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201980028305.4

申请日：2019-11-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  田村隆博 ,  安喰彻

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具备半导体基板的半导体装置，半导体基板具有含有氢的含氢区域，含氢区域在至少一部分区域含有氦，含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。在至少一个氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是氦化学浓度以上。

公开(公告)号：CN115152034A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180016753.X

申请日：2021-04-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  阿形泰典 ,  三枝直树

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：焊盘部，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且与发射电极分离；导线布线部，其与焊盘部的上表面的连接区域连接；布线层，其设置在半导体基板和焊盘部之间，且包括与连接区域重叠的区域；层间绝缘膜，其设置在布线层和焊盘部之间，且在连接区域的下方具有贯通孔；钨部，其设置在贯通孔的内部，且将布线层和焊盘部电连接，所述钨部包含钨；以及阻挡金属层，其设置为在连接区域的下方覆盖层间绝缘膜的上表面，且所述阻挡金属层包含钛。

公开(公告)号：CN114127930A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080047040.5

申请日：2020-11-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 尾崎大辅 ,  白川彻 ,  阿形泰典

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/06

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部具有抑制第二导电型载流子注入的注入抑制区，二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区。晶体管部和二极管部双方在半导体基板的表面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的表面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度高于基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，在注入抑制区不设置发射区和抽出区。