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公开(公告)号：CN116264219A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211333594.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在将正极端子与负极端子隔着绝缘片层叠的层压布线构造中能够确保正极端子与负极端子之间的爬电距离，从而能够提高绝缘性能。半导体装置具备：绝缘片，具有第一主表面和第二主表面；板状的第一端子，其与绝缘片的第一主表面相向地设置，该第一端子具有突出到绝缘片的第一主表面的外侧的第一突出部；以及板状的第二端子，其与绝缘片的第二主表面相向地设置，该第二端子具有与第一突出部并排地突出到绝缘片的第二主表面的外侧的第二突出部，在第一突出部的与绝缘片的端部相交的位置，设置有使与第二突出部相向的侧面向远离第二突出部的方向凹陷而成的第一凹部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116013888A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211062043.3
申请日：2022-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种能够可靠性高地降低开关损耗的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘电路基板(1)；功率半导体元件，其搭载在绝缘电路基板(1)上；平板状的第一端子(81)，其与功率半导体元件电连接，所述第一端子(81)具有第一主表面；第二端子(82)，其与功率半导体元件电连接，所述第二端子(82)具有与第一端子(81)的第一主表面相向的第二主表面；绝缘片(83)，其配置在第一主表面与第二主表面之间；以及导电膜(84、85)，其配置在绝缘片(83)的第一主表面侧和第二主表面侧中的至少一方。
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公开(公告)号：CN107204292B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201710096125.2
申请日：2017-02-22
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/04 , H01L23/043 , H01L23/31
Abstract: 本申请提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能够缓和由热膨胀率之差导致的集中于树脂壳体内表面的角部附近的应力，满足层叠基板与树脂壳体之间的绝缘性。上述半导体装置具有将树脂壳体(6)与层叠组件组合而成的构成，上述层叠组件具有：半导体元件(1)；搭载有上述半导体元件(1)的层叠基板(3)；以及搭载有上述层叠基板(3)的金属基板(4)。在树脂壳体(6)中，在角部设有切槽(6a)。切槽(6a)的宽度和长度中的至少一个为2mm以上。
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公开(公告)号：CN106449608A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610505752.2
申请日：2016-06-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/00
Abstract: 本发明的半导体模块抑制由宽带隙半导体构成的开关元件的劣化。半导体模块(100)中，将第2半导体芯片(420)(二极管)配置得比第1半导体芯片(410)(MOSFET)更靠层叠基板(310)侧。由此，在使第1半导体芯片(410)(MOSFET)的栅极电极的控制信号截止时，从源极端子(320)向漏极板(200)施加电压时的电流主要通电至第2半导体芯片(420)(二极管)。
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