公开(公告)号：CN103370791A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201180067442.2

申请日：2011-09-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  中泽治雄 ,  宫坂靖

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7827

Abstract: 半导体器件包括其中当该半导体器件处于导通状态时电流流过的有源区（10）、和围绕着有源区(10)的击穿电压结构部分(11)。在有源区（10）中，包括例如p-阱区（2）、n+源区（3)、栅电极（5）、和源电极（6）的MOS栅结构被设置在半导体基板的前表面上。从半导体基板的后表面到侧表面，设置与n-漂移区（1）进行接触的漏电极（7）。漏电极（7）和作为半导体基板的n-漂移区（1），形成肖特基接触。在击穿电压结构部分（11）中，至少在半导体基板的外周边缘上设置从半导体基板的外周边缘减少泄露电流的层（泄露电流减少层）20。

公开(公告)号：CN103688346B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201180072259.1

申请日：2011-07-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  荻野正明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/761 ,  H01L21/78 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66333

Abstract: 在晶片（10）的第一主表面上形成反向阻断IGBT的前表面元件结构、耐受电压结构的前表面元件结构、以及隔离结构的p型隔离区。反向阻断IGBT的前表面元件结构和耐受电压结构的前表面元件结构形成于晶片（10）上的元件形成区（1）中。在元件形成区（1）的元件端部侧形成隔离结构的p型隔离区以围绕耐受电压结构。接着，在晶片（10）从晶片（10）的第二主表面厚度减少后，在晶片（10）的第二主表面中形成到达p型隔离区的沟槽（3）。在该过程中，沟槽（3）形成为使得沟槽3）的纵向端部不到达晶片（10）的外周端部（2-1a、2-2a、2-1b和2-2b）。接着，在晶片（10）的第二主表面中形成p型集电极层，且还在沟槽（3）的侧壁中形成与p型集电极层和p型隔离区接触的p型层，且藉此完成反向阻断IGBT。

公开(公告)号：CN103370791B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201180067442.2

申请日：2011-09-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  中泽治雄 ,  宫坂靖

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7827

Abstract: 半导体器件包括其中当该半导体器件处于导通状态时电流流过的有源区（10）、和围绕着有源区(10)的击穿电压结构部分(11)。在有源区（10）中，包括例如p‑阱区（2）、n+源区（3)、栅电极（5）、和源电极（6）的MOS栅结构被设置在半导体基板的前表面上。从半导体基板的后表面到侧表面，设置与n‑漂移区（1）进行接触的漏电极（7）。漏电极（7）和作为半导体基板的n‑漂移区（1），形成肖特基接触。在击穿电压结构部分（11）中，至少在半导体基板的外周边缘上设置从半导体基板的外周边缘减少泄露电流的层（泄露电流减少层）20。

公开(公告)号：CN105814694A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201580002976.5

申请日：2015-08-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  泷下博 ,  吉村尚 ,  田村隆博 ,  小野泽勇一

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/221 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：n型的半导体基板；p型的阳极区，形成在半导体基板的正面侧；n型的场停止区，在半导体基板的背面侧以质子作为施主而形成；以及n型的阴极区，形成在比场停止区更靠近半导体基板的背面侧的位置，场停止区中的深度方向的施主的浓度分布具有第一峰值和第二峰值，第二峰值比第一峰值更靠近半导体基板的背面侧，并且第二峰值的浓度比第一峰值更低，阳极区与阴极区之间的至少一部分区域中的载流子寿命比阳极区和阴极区中的任一载流子寿命更长。

公开(公告)号：CN101901828B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010213215.3

申请日：2006-06-19

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 风间健一 ,  中岛经宏 ,  佐佐木弘次 ,  清水明夫 ,  林崇 ,  胁本博树

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。

公开(公告)号：CN102254820A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110136870.8

申请日：2011-05-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 荻野正明 ,  胁本博树 ,  宫崎正行

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/266 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其可以保证晶片的强度，可以提升器件性能。散热层从晶片的正面形成，到达散热层的锥形槽从背面通过利用碱性溶液的各向异性蚀刻形成，槽内散热层形成于槽的侧壁表面。反向阻断IGBT的分离层由散热层和槽内扩散层构成，可以通过形成槽内扩散层将散热层形成得较浅，可以大幅减少热扩散时间。另外，通过将形成槽内扩散层离子注入和形成集电极层的离子注入分开进行，可以针对接通电压和开关损耗间的折衷选择最佳值，同时确保反向阻断IGBT的反向阻断电压。