-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349766A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010572103.0
申请日：2020-06-22
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供半导体装置。抑制半导体装置的因温度变化引起的特性变化。所述半导体装置具备：半导体基板，其设置有第1导电型的漂移区；晶体管部，其具有与半导体基板的下表面接触的第2导电型的集电区；二极管部，其具有与半导体基板的下表面接触的第1导电型的阴极区，且沿着在半导体基板的上表面的排列方向与晶体管部交替地配置，晶体管部中的、从靠近半导体基板在排列方向上的中央的晶体管部起依次选择的2个以上的晶体管部在排列方向上的宽度比其他任一晶体管部在排列方向上的宽度大。
-
公开(公告)号：CN113875016B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202080038621.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；掺杂浓度的多个峰，其设置在半导体基板的背面；平坦部，其在半导体基板的深度方向上设置在多个峰之间，并且具有半导体基板的基板浓度的2.5倍以上的掺杂浓度，多个峰中的至少一者为设置在比平坦部更靠正面侧的位置的第一峰，第一峰的掺杂浓度是平坦部的掺杂浓度的2倍以下。
-
公开(公告)号：CN119208363A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411255783.8
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/36 , H01L21/331 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
-
公开(公告)号：CN113632236B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202080024662.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/36 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的、或单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
-
公开(公告)号：CN112219263B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980028584.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.019 seconds)
