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公开(公告)号：CN116349006A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180072875.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备晶体管部，所述半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；多个沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；第一导电型的发射区，其设置为在半导体基板的正面，从多个沟槽部中的沟槽部延伸至相邻的沟槽部，并且掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；以及第二导电型的沟槽底部，其设置于沟槽部的下端，晶体管部在俯视时具有不设置沟槽底部的电子通过区。
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公开(公告)号：CN114503280A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202180005621.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/417 , H01L21/331
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于基区的上方；多个沟槽部，其在半导体基板的正面侧沿预先确定的排列方向排列；沟槽接触部，其在多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间，设置于半导体基板的正面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于沟槽接触部的下方，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，沟槽接触部的下端比发射区的下端深，在沟槽接触部的侧壁，发射区与接触层接触。
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公开(公告)号：CN109075191B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201780019961.9
申请日：2017-10-16
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其形成于半导体基板；第二导电型的集电区，其在半导体基板形成于半导体基板的下表面与漂移区之间；以及第一导电型的高浓度区，其在半导体基板形成于漂移区与集电区之间，且掺杂浓度比所述漂移区高，半导体基板的深度方向上的高浓度区的掺杂浓度分布具有一个以上的峰，高浓度区的掺杂浓度分布的峰中的最靠所述半导体基板的下表面侧的第一峰与半导体基板的下表面之间的距离为3μm以下。
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公开(公告)号：CN103794641A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310288660.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 富士电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种实现通态电阻的降低或电流崩塌的抑制并且防止了耐压降低的半导体装置。该半导体装置具备：形成于基板上的由氮化物系半导体构成的第1半导体层，形成于所述第1半导体层的表面的、由带隙比所述第1半导体层宽的氮化物系半导体构成的第2半导体层，形成于所述第2半导体层的表面上的第1电极，形成于所述第2半导体层的表面上的第2电极，形成于所述第2半导体层的表面的所述第1电极和所述第2电极之间的电极间绝缘膜，以及形成于所述电极间绝缘膜上的由绝缘体构成的介电常数调节层，其中，所述第1电极具有以上载至所述电极间绝缘膜的方式形成的场板部，所述介电常数调节层具有与所述场板部的侧端部接触的第1介电常数调节层和形成于所述第1介电常数调节层上的第2介电常数调节层。
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公开(公告)号：CN111886682B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN201980021045.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117616584A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280045075.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L21/8234 , H01L21/76 , H01L21/265
Abstract: 提供一种半导体装置，其是具备设置有第一导电型的漂移区的半导体基板的半导体装置，半导体基板具有有源部和在半导体基板的上表面设置于有源部的沟槽部，有源部具有沟槽部在排列方向上以第一沟槽间隔排列的第一区域和沟槽部在排列方向上以比第一沟槽间隔大的第二沟槽间隔排列的第二区域，第一区域具有遍及至少两个沟槽部的底部而设置的第二导电型的第一底部区域，第二区域具有设置于一个沟槽部的底部的第二导电型的第二底部区域。
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公开(公告)号：CN117063293A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202280024178.2
申请日：2022-10-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包括第一导电型的漂移区；第二导电型的基区，其设置在漂移区与半导体基板的上表面之间；多个沟槽部，其从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置；第二导电型的下端区，其与两个以上的沟槽部的下端相接地设置；第二导电型的阱区，其从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置，并且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度；以及第二导电型的高电阻区，其在俯视时配置于下端区与阱区之间，并且掺杂浓度低于下端区的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN116420219A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180072400.1
申请日：2021-12-08
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：有源部，其具有晶体管部和二极管部；以及耐压结构部，其设置在有源部的外周，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；以及第二导电型的沟槽底部，其设置在沟槽部的下端，在俯视时，二极管部设置在靠近耐压结构部的晶体管部与耐压结构部之间。
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