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公开(公告)号：CN110167284B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910565350.5
申请日：2019-06-27
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明提供了一种功放模块的制作工艺，包括以下步骤：步骤1、印制板、玻珠与壳体焊接，得到第一组件；步骤2、将玻珠分别和对应的薄膜电路板和印刷电路板焊接，得到第二组件；步骤3、将薄膜电路板、功放芯片组件焊接到第二组件壳体内，得到第三组件；步骤4、将元器件胶结到第三组件壳体内，得到第四组件；步骤5、对第四组件进行金丝、金带压焊键合；步骤6、封盖，完成模块盖板装配。此工艺生产制作的功放模块，经过测试、环境试验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求，生产此模块的工艺流程科学、简单，焊接效果较好，生产的产品合格率较之前有较大的提高，设备投资小，降低了生产成本，适用小批量生产。
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公开(公告)号：CN111988913A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010772875.9
申请日：2020-08-04
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Ku波段功放驱动级模块制作方法，包括步骤：S1、将微波电路板与壳体进行焊接，得到第一组件；S2、将元器件、射频绝缘子和馈电绝缘子与第一组件进行焊接，得到第二组件；S3、将放大器芯片与第二组件进行焊接，得到第三组件；S4、在第三组件上焊接导线，得到第四组件；S5、对第四组件进行清洗；S6、电装焊接；S7、封盖。本发明的Ku波段功放驱动级模块制作方法，制作工艺科学合理，步骤简单明了，易操作，无需精密生产设备投入就可大批量生产，性能稳定，可靠性好，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN107498126B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710491567.7
申请日：2017-06-26
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种在深腔或窄腔上搪锡方法，步骤一、制作镀金铜片；步骤二、在搪锡之前，预先去除氧化物；步骤三、在热台上预热，喷洒助焊剂，助焊剂型号：EF‑9301，上焊料，将腔体放置在温度为240±5℃的热台上进行预热，随后向腔体待搪锡区域喷洒一层助焊剂，助焊剂型号：EF‑9301，然后再向腔体待搪锡区域添加焊锡丝；步骤四、用镊子夹取镀金铜片，放置在熔化的焊料上，来回在腔体待搪锡区域摩擦，使其腔体搪锡；步骤五、将搪锡后的腔体清洗。本发明相对于传统用电烙铁方式，操作更简单、方便、高效，搪锡无死角。本发明适合大批量生产，值得推广。
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公开(公告)号：CN110290692A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910565356.2
申请日：2019-06-27
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供了一种X波段10瓦功率放大模块的制作工艺，包括以下步骤：步骤1、将射频电路板烧结到腔体内；步骤2、功率放大芯片共晶，并将共晶后的功率放大芯片烧结到腔体内；步骤3、将阻容器件胶结到射频电路板上；步骤4、金丝键合；步骤5、将测试好的组件封盖。本发明设计合理，借助微电子组封装工艺技术，进行X波段10瓦功率放大模块的制作，制作出来的X波段10瓦功率放大模块经过环境试验完全达到技术指标要求，同时具有重量轻、指标优异、功耗小、增益大、体积小、可靠性高的特点，工艺流程简便、科学，提高了产品的合格率以及车间的生产效率，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN109714052A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811552529.9
申请日：2018-12-19
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种X波段同轴介质频率源，该X波段同轴介质频率源包括依次连接的以下模块：谐波发生模块、混频鉴相模块、环路滤波模块、同轴介质谐振器模块、倍频放大模块和滤波模块；其中，所述滤波模块的输出为系统输出。该X波段同轴介质频率源可以实现低相噪、高谐波杂波抑制、抗振性能良好、体积小便于固化生产的频率源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109347450A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811069325.X
申请日：2018-09-13
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明适用于功率放大器制备技术领域，提供了一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，包括如下步骤：将微波电路板烧结到主腔体的底部；将功率放大芯片、芯片电容与铜片载体进行共晶，将获得的共晶功率放大组件片烧结到微波电路板的对应位置；在微波电路板上胶结电阻及电容；将共晶功率放组件与胶结有电阻及电容的微波电路板间采用金带键合；将盖板固定到主腔体的顶部。借助微电子组封装工艺技术，实现基于微波单片集成电路放大器芯片设计的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，获得的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器具有散热好、稳定性高、安装灵活、体积小、可靠性高且适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN108768304A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810613494.9
申请日：2018-06-14
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种S波段50瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：步骤1、将放大器芯片共晶在钼铜载体上；步骤2、将元器件烧结到电路板上；步骤3、将烧结好元器件的电路板、共晶后的组件和绝缘子烧结到腔体上；步骤4、金丝键合；步骤5、对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标,经过此工艺生产的S波段50瓦脉冲功率放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求。生产此放大器的工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，降低了生产成本、提高了生产效率值得推广。
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公开(公告)号：CN108092632A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711352984.X
申请日：2017-12-15
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明适用于微波模块制作工艺技术领域，提供了一种X波段3瓦功率放大器的制作工艺，该工艺包括如下步骤：S1、将Rogers5880电路板烧结到腔体上的对应位置；S2、将阻容器件烧结到Rogers5880电路板上；S3、将功放管烧结到腔体上；S4、将隔离器安装到腔体上；S5、烧结电源模块电路板并安装到腔体上；S6、电源模块电路板安装完毕后，进行调试和测试，对测试合格的产品进行封盖；上述生产工艺流程科学、便于操作，且经过上述工艺生产的X波段30瓦功率放大器经过严格的测试、环境实验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求，生产的产品合格率高，提高了生产效率，节约了生产成本。并已实现大批量多批次供货。
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公开(公告)号：CN107708328A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710497802.1
申请日：2017-06-27
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H05K3/3457 , H05K2203/04
Abstract: 本发明公开了提高芯片充分接地和散热的焊接方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤SS1：制备锡球；步骤SS2：向电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔中填充所述步骤SS1中的所述锡球；步骤SS3：加热使所述步骤SS2中的焊盘接地孔中的所述锡球熔化。本发明跟现有工艺比较，增加了逐个向焊盘接地孔中填充锡球，然后放置在加热平台上加热使焊盘接地孔的锡球熔化的工序，使焊盘接地孔中充满焊锡，来实现芯片背面充分接地，并且保证了芯片充分散热，提高了芯片焊接质量。
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公开(公告)号：CN107350585A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710491525.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
CPC classification number: B23K1/0016 , B23K1/203 , B23K1/206 , B23K2101/36
Abstract: 本发明公开了一种扁平镀金引线手工焊接的方法，步骤一、扁平镀金引线去金、搪锡；步骤二、Rogers微带板去金、搪锡；步骤三、清洗；步骤四、用电烙铁加热融熔焊锡丝将去金、搪锡后的镀金引线手工焊接在去金、搪锡后的Rogers微带板焊接区域；步骤五、手工焊接完成后，进行汽相清洗。本发明其优点在于，在镀金引线焊接在Rogers微带板上之前，预先将扁平镀金引线和Rogers微带板焊接区域去金、搪锡，改善了扁平镀金引线和Rogers微带板的焊锡附着力，提高了焊锡的浸润性，为后续的焊接提供了最优环境，增强了焊接强度；另外，本发明采用的搪锡方法，对去金效果好，本发明操作简单、实用性强，值得推广。
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