公开(公告)号：CN101785095A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103633.8

申请日：2008-08-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平 ,  小池匡 ,  足立龙彦

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/02255 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101563782A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780047515.5

申请日：2007-12-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本瑞翁株式会社 ,  宇部日东化成株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  杉谷耕一 ,  小池匡 ,  番场昭典 ,  小林章洋 ,  绵贯耕平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78639

Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm－x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。

公开(公告)号：CN100537837C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200580032568.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 株式会社爱发科 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 渡部干雄 ,  座间秀昭 ,  角田巧 ,  长谷川千寻 ,  绵贯耕平

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β-二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I-I)表示的基团(Ra表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，Rb、Rc、Rd相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I-I)表示的基团(RaRb、Rc、Rd与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。

公开(公告)号：CN101044261A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580032568.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 株式会社爱发科 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 渡部干雄 ,  座间秀昭 ,  角田巧 ,  长谷川千寻 ,  绵贯耕平

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β－二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I－I)表示的基团(Ra表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，Rb、Rc、Rd相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I－I)表示的基团(RaRb、Rc、Rd与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。

公开(公告)号：CN1307185C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN03807420.6

申请日：2003-01-31

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 角田巧 ,  长谷川千寻 ,  绵贯耕平

IPC: C07F7/18 ,  C23C16/18 ,  C07F1/08

CPC classification number: C23C16/18 ,  C07F7/1804

Abstract: 含铜薄膜在工业上可利用具有含甲硅烷基醚键的β-二酮基配体的二价铜络合物作为铜源通过化学气相沉积有利地形成。二价铜络合物的代表性的实例用通式(I)来表示：其中Z是氢或烷基；X是用通式(I-I)表示的基团，其中Ra是亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基；Y是烷基或用通式(I-I)表示的基团，其中Ra亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基。

公开(公告)号：CN1642964A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03807420.6

申请日：2003-01-31

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 角田巧 ,  长谷川千寻 ,  绵贯耕平

IPC: C07F7/18 ,  C23C16/18 ,  C07F1/08

CPC classification number: C23C16/18 ,  C07F7/1804

Abstract: 含铜薄膜在工业上可利用具有含甲硅烷基醚键的β－二酮基配体的二价铜络合物作为铜源通过化学汽相沉积有利地形成。二价铜络合物的代表性的实例用通式(I)来表示：如上式其中Z是氢或烷基；X是用通式(I－I)表示的基团，其中Ra是亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基；Y是烷基或用通式(I－I)表示的基团，其中Ra亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基。

公开(公告)号：CN1363720A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01143189.X

申请日：2001-11-06

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 角田巧 ,  高井勉 ,  绵贯耕平

IPC: C23C16/18

CPC classification number: C07F7/0898 ,  C07F7/1804

Abstract: 一种有下面结构式的有机金属铜络合物有益地用于用化学汽相淀积法制备金属铜膜，其中R1和R2各自是烷基或全氟烷基;R3是氢、氟或全氟烷基;和R4到R7中至少一个是有右下结构式的基团，其中Ra是亚烷基,Rb、Rc和Rd各自是烷基,和M是氧或硫,其余各自是氢或烷基。