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公开(公告)号：CN114280078A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111586944.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01N21/956 , G01N21/01 , H01L21/66
Abstract: 单晶硅体内BMD的批量评价方法，选取不同氧含量的数个原始硅片；对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，将待测试硅片通过FTIR检测待测试硅片的间隙氧的变化量，将间隙氧的变化量放入相关性公式中，得到BMD的数目。
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公开(公告)号：CN114280072A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111586949.0
申请日：2021-12-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶硅体内BMD的检测方法，包括预处理步骤，所述预处理步骤具体为：将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度，通入第一预定气体，反应第一预定时间，进行预处理，得到有致密薄膜的原始硅片，以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径；通过对硅片进行预处理阻止硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散，并且使硅片内部空位、间隙氧扩散均匀，进而在热处理时在硅片内部生成均匀的BMD，因为硅片内部的BMD分布均匀，使得硅片在显微镜下进行BMD计数时不会因为密度区域选取而存在误差，从而BMD的检测数量更精确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118685850B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410762951.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低硅单晶氧含量的装置及方法，属于单晶硅生产技术领域，包括：单晶炉，单晶炉内部设置有坩埚；热屏，热屏设置在坩埚的上方，热屏包括上段热屏和下段热屏，上段热屏包括倾斜段和竖直段，下段热屏包括下段外侧和下段内侧，下段外侧与竖直段连接，且下段外侧倾斜设置，以增大熔体表面氧元素的挥发量；石墨中轴，石墨中轴设置在坩埚的下方，石墨中轴中心设置有合金中轴，合金中轴下方安装有升降装置，且合金中轴内部通入有冷却水，以在拉晶过程中通过升降装置控制合金中轴的位置，来控制坩埚的温度，减少氧元素的产生。本发明通过改进热屏及中轴的结构，在保证大尺寸单晶硅长晶稳定的情况下，将单晶硅棒中的氧含量控制在5ppma以下。
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公开(公告)号：CN117626413A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311631502.X
申请日：2023-11-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种单晶生长过程中固液界面形状的调整方法，属于晶体生长技术领域，本发明通过根据产品需求参数和热场条件，确定出拉晶预调整工艺参数的上下限范围，在该上下限范围内设定不同值进行拉晶试验，然后对拉制的试验晶棒进行取样检测得到固液界面形状，基于各设定值与其对应的固液界面形状，建立该拉晶预调整工艺参数与固液界面形状的变化关系，然后基于这种变化关系在单晶生长过程中调整该工艺参数，进而调整固液界面形状，以减小固液界面形状变化对单晶硅径向性质平均性的影响，提高晶体径向性质的均匀性，并更好的调控晶体缺陷的面内分布，得到高品质、高均匀性的单晶产品。
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公开(公告)号：CN213337262U
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202022192342.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01N17/00
Abstract: 一种单晶硅检测样片择优腐蚀装置，包括腐蚀槽、腐蚀花篮、定位部件、盖板，腐蚀槽内壁的上部位置设有支撑台，腐蚀花篮设在腐蚀槽的内部，腐蚀花篮的两个短边搭接在支撑台上，腐蚀花篮的下端与腐蚀槽的底部相接触，腐蚀花篮长边的一侧侧壁与腐蚀槽的内壁不接触，腐蚀花篮的外壁与腐蚀槽之间留有间距，腐蚀花篮其余侧壁与腐蚀槽的内壁相接触，定位部件位于腐蚀花篮外壁与腐蚀槽内壁之间的间距之间，定位部件的两侧分别与腐蚀花篮的外壁及腐蚀槽的内壁卡接，将腐蚀花篮固定在腐蚀槽内，盖板设置在腐蚀槽的顶部；本实用新型配合腐蚀花篮设计专用的腐蚀槽，降低了腐蚀液单次使用量，并且腐蚀槽摆动过程中，腐蚀花篮可相对固定，从而稳定腐蚀过程。
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公开(公告)号：CN213337009U
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202022303934.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种单晶硅检测样片混酸抛光清洗装置，包括混酸槽、酸液恒温部件、隔膜泵，酸液恒温部件包括酸液热交换组件、恒温组件，酸液热交换组件包括箱体，箱体内的顶部设有上部缓冲箱、箱体内的底部设置下部缓冲箱，箱体的内部设有恒温介质输送管，恒温介质输送管分别与下部缓冲箱、下部缓冲箱的内部连通，恒温组件分别与上部缓冲箱、下部缓冲箱的内部连通；本实用新型通过恒温组件可将温度一定的介质输送至恒温介质输送管，利用恒温介质与箱体内的混酸进行热交换，使混酸的温度处于恒定，通过隔膜泵的循环作用，使混酸槽内的混酸不断在混酸槽内进行循环，保证反应槽中的酸液反应温度，使混酸槽内混酸温度波动变小，从而保证单晶硅样片检测的稳定性。
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公开(公告)号：CN213327941U
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202022248141.9
申请日：2020-10-10
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种单晶硅检测样片专用石英舟，包括第一连接板、第二连接板、检测样片支撑杆、防变形固定件，第一连接板、第二连接板对向设置，检测样片支撑杆设置在第一连接板、第二连接板之间，检测样片支撑杆的两个端部分别与第一连接板、第二连接板相连接，检测样片支撑杆上设置有卡槽，检测样片支撑杆呈U形结构排列，防变形固定件设置在检测样片支撑杆的下方；本实用新型对石英舟结构进行优化设计，能够将检测样片竖直放置，防止检测样片向两侧偏倒，避免应力集中对处理效果造成影响，防变形固定件对检测样片支撑杆具有固定约束作用，在检测样片支撑杆热胀冷缩后，可以防止检测样片支撑杆发生变形，导致检测样片损毁及石英舟损伤的现象发生。
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