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公开(公告)号：CN113119327B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110446789.3
申请日：2021-04-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够改善 晶向晶棒切割warp值的定向多线切割方法，属于单晶硅切片技术领域。在 晶向上，以预定旋转角θ0进行切割，所述预定旋转角θ0为0°±5°、60°±5°或‑60°±5°。该方法能够显著降低硅片的warp值，显著降低批次间的warp值波动，且有利于改善硅片的面方位精度。
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公开(公告)号：CN113787638A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111128520.7
申请日：2021-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种确定晶棒的三维空间关系的晶棒加工方法，属于单晶硅硅片加工技术领域，将 晶向的晶棒制作成籽晶时偏离预定的角度，将籽晶进行晶棒拉制，晶棒拉制完成后，在晶棒上标记出籽晶的偏离角度，将已拉制完成的晶棒进行滚磨加工，在滚磨加工的过程中，自动滚磨机识别晶棒上的标记，晶棒外圆滚磨完成后，以标记位置作为X光机测量NOTCH晶向的基准面，开NOTCH槽；通过在制作籽晶时预先偏离预定角度，再将已偏离预定方向的籽晶的偏离方向标记到晶棒上，再对晶棒进行滚磨，在标记位置开NOTCH槽，以在晶棒的端面晶向和NOTCH基准面建立固定的空间关系，再对晶棒进行切片，切片时warp值能够稳定在一个范围。
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公开(公告)号：CN114582769B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210079640.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种吹气型晶圆传片系统及操作方法，包括支撑台，所述支撑台的底部固定连接有底座，所述支撑台的顶部固定连接有传输箱，所述支撑台的前侧固定连接有第一传输板和第二传输板，所述第一传输板的内部设置有顶出机构，本发明涉及晶圆传输技术领域。该吹气型晶圆传片系统及操作方法，通过设置有转向传输机构，利用驱动电机带动驱动转轴的转动，驱动转轴带动了连接杆和卡柱在十字轮的卡槽中移动，以此实现了转动板和提取箱的转动，并通过提取板对晶圆进行夹紧，以此实现了对晶圆的夹紧，从而避免了吸附产生掉落的问题，并且实现了间歇的转向，达到精确定位和传输的目的，以此提高了晶圆传片的效率。
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公开(公告)号：CN118952488A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411380914.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低多线切割机金刚线断线率的方法，涉及多线切割机的技术领域，在切割前，在待切割晶锭的底部粘接导向件，通过预定金刚线速度曲线进行晶锭切割；在切割时，金刚线先按照预定位置进入导向件内，防止金刚线因受阻力大发生滑移，一方面防止金刚线入刀位置产生偏差导致硅片入刀翘曲，另一方面通过导向条降低金刚线的振动，使得金刚线从导向条进入晶锭时相对位置被固定，金刚线与晶锭进行点点接触，减少接触面积，避免产生线弓，进而金刚线张力变化小，金刚线断线率降低。
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公开(公告)号：CN118219447A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410528159.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶棒切割的砂浆更换方法及砂浆更换装置，属于单晶硅技术领域，包括：采用游离磨料线切割技术对晶棒进行切割，并在切割过程中持续更换砂浆；根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量。本发明通过根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量，并在切割过程中持续更换砂浆，将受到破碎的碳化硅更换为新的碳化硅，使得碳化硅的粒度分布均匀，从而减少硅片表面的损伤层深度，降低硅片表面粗糙度，使得加工出的硅片质量缺陷明显降低，提高了硅片的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117382010A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311615589.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了控制晶棒切割热量的工艺方法，包括以下步骤：将晶棒固定在粘接有碳基树脂板的工件板上；当晶棒切割深度逐渐增大时，不断地控制切片加工仓内设置的控温装置温度、砂浆温度以及流量进行改变；本发明通过控温装置、碳基树脂板以及控制砂浆的变化，综合控制晶棒切片过程中产生的热量，可以有效的降低同一批次硅片的warp值，使用碳基树脂板以及控温装置来控制晶棒加工成过程的热量变化，随着切入晶棒的深度变化以及砂浆温度的变化，控温装置进行及时的调整，避免切断的晶棒温度变化过大，解决现有晶棒切割时热量波动不稳定的问题，现在的通过多个方式控制加工的热量，能更好的更稳定的控制加工的热量。
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公开(公告)号：CN114582769A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210079640.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种吹气型晶圆传片系统及操作方法，包括支撑台，所述支撑台的底部固定连接有底座，所述支撑台的顶部固定连接有传输箱，所述支撑台的前侧固定连接有第一传输板和第二传输板，所述第一传输板的内部设置有顶出机构，本发明涉及晶圆传输技术领域。该吹气型晶圆传片系统及操作方法，通过设置有转向传输机构，利用驱动电机带动驱动转轴的转动，驱动转轴带动了连接杆和卡柱在十字轮的卡槽中移动，以此实现了转动板和提取箱的转动，并通过提取板对晶圆进行夹紧，以此实现了对晶圆的夹紧，从而避免了吸附产生掉落的问题，并且实现了间歇的转向，达到精确定位和传输的目的，以此提高了晶圆传片的效率。
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公开(公告)号：CN113375532A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110654947.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种测量切片机钢线线位的装置，属于切片机钢线线位测量技术领域，包括固定座和测量组件，所述测量组件包括第一测量臂、第二测量臂、第一测量臂固定座、第二测量臂固定座，所述第一测量臂包括水平臂和竖直臂，本装置安装于导线轮上时，第一测量臂的竖直臂和第二测量臂的竖直臂恰好分别靠紧钢线的进出线，此时第一测量臂的水平臂与第二测量臂的水平臂之间的夹角为90°时，说明钢线的进出线之间的夹角为90°。若测量出钢线进出线夹角不是90°，则调整导线轮的位置，直到钢线的进出线之间的夹角为90°。此装置安装简便，拆卸方便，操作简单，便于携带。
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公开(公告)号：CN113119327A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110446789.3
申请日：2021-04-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够改善 晶向晶棒切割warp值的定向多线切割方法，属于单晶硅切片技术领域。在 晶向上，以预定旋转角θ0进行切割，所述预定旋转角θ0为0°±5°、60°±5°或‑60°±5°。该方法能够显著降低硅片的warp值，显著降低批次间的warp值波动，且有利于改善硅片的面方位精度。
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公开(公告)号：CN119260958A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411654776.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种区分晶棒原生缺陷区域的样片制备方法，涉及硅片缺陷检测技术领域，通过先将晶棒按长度进行截断得到端面为直径的第一晶锭，再将端面为直径的第一晶锭沿长度方向进行纵向切割得到矩形块，以为得到长度方向的圆形样片做准备，然后再在矩形块上进行套圆，得到端面为晶棒不同长度段的第二晶锭；将端面为晶棒不同长度段的第二晶锭进行切片，得到圆形样片；将圆形样片进行后处理得到待检测样片，得到的待检测样片为晶棒不同长度段方向的圆片，能够对晶棒长度方向不同区域的情况进行检测，了解完美单晶区域的大小、原生缺陷区域的位置，以根据检测结果调整拉晶的工艺或热场的结构，改善相应的缺陷。
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