公开(公告)号：CN114775045B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202210438710.7

申请日：2022-04-21

Applicant: 季华实验室

Inventor： 伍三忠 ,  徐俊 ,  王慧勇 ,  刘欣然 ,  盛飞龙

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明属于外延生长技术领域，特别涉及一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉，其中，外延炉的阀门隔热装置包括：法兰，用于连接外延炉的反应室和外延炉的传输阀，法兰上设有用于进行衬底上下料的传输口；装置还包括：隔热挡板，活动安装在法兰靠近反应室的一侧；驱动机构，安装在法兰上，且与隔热挡板连接，用于根据反应室的运行状态驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输口；该装置能根据反应室的运行状态利用驱动机构驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输阀与反应室之间的法兰上的传输口，从而减少了传输阀的温升，有效避免了传输阀的阀板因高温而损耗使用寿命，并有效减少反应室内高温对传输室内温度的影响。

公开(公告)号：CN116190217A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310419902.8

申请日：2023-04-19

Applicant: 季华实验室

Inventor： 张南 ,  黄吉裕 ,  郭嘉杰 ,  吴国发 ,  刘自然 ,  毛朝斌 ,  伍三忠

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明公开了一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，属于半导体加工领域，步骤包括，以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层；保持硅源流量不变，使碳源流量按关于时间的S型曲线增大达到第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；以第一硅源流量和第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层；从第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层；以第二硅源流量和第三碳源流量生长出高速外延层。该方法将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，并且使碳硅比变化过程的起点和终点附近平滑过渡，有利于减少三角形缺陷。

公开(公告)号：CN113638043B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110936866.3

申请日：2021-08-16

Applicant: 季华实验室

Inventor： 盛飞龙 ,  毛朝斌 ,  罗骞 ,  伍三忠 ,  胡承 ,  王鑫

IPC: C30B23/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质，其中，系统包括：冷却室，用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体；气体温度计，用于获取吹扫气体的第一温度信息；温度调节机构；测温计，用于获取外延片的第二温度信息；气体循环机构；控制器，用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却，并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温；该系统根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息，防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。

公开(公告)号：CN114551572A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210163347.2

申请日：2022-02-22

Applicant: 季华实验室

Inventor： 张南 ,  刘欣然 ,  刘欣 ,  郭嘉杰 ,  黄吉裕 ,  伍三忠

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/18 ,  H01L21/06

Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了拓扑PN结及其制备方法和拓扑量子输运特性的调节方法，拓扑PN结包括衬底、电极、P型区和N型区；所述P型区与一所述电极相接，所述N型区与另一所述电极相接，所述N型区与所述P型区之间形成空间电荷区；所述P型区为P型掺杂的拓扑半导体，所述N型区为N型掺杂的拓扑半导体。本申请提供了一种新型的基于拓扑半导体的拓扑PN结，可以充分利用半导体具有能隙且易于调控的优势，可以有效实现拓扑量子输运特性的单向开启。