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公开(公告)号：CN109270423B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811163919.7
申请日：2018-10-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于碳化硅半导体器件可靠性测试技术领域，一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法，包括以下步骤：(1)将经过ECR氮等离子体钝化处理的样品放入探针台，抽真空，降温，(2)对施加电场应力前的样品进行C‑V曲线测量，(3)对施加电场应力后的样品进行C‑V曲线测量，(4)计算施加电场应力前后C‑V曲线的漂移量，(5)评价ECR氮等离子体钝化工艺对器件稳定性的影响。本发明在低温(80～300K)测量时排除了可动电荷和固定电荷对SiC MOSTET器件稳定性的影响，可以探究钝化工艺对氧化层陷阱和界面陷阱单独的钝化效果，计算出样品的氧化层陷阱电荷数和界面陷阱电荷数，可用来评估SiC MOSFET器件的低温稳定性。
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公开(公告)号：CN109103078A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811163899.3
申请日：2018-10-03
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件制造及可靠性技术领域，一种提高SiC MOSFET器件高、低温稳定性的钝化方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺清洗，(2)高温热氧化，(3)氮氢混合等离子体钝化处理，(4)涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入以形成源区和漏区，(5)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过氮氢混合等离子体中N-H的协同作用有效的钝化氧化层陷阱和界面陷阱，其中H元素可以在N钝化的基础上近一步钝化氧化层陷阱和界面陷阱，并将多余的氮产生的深能级陷阱移向禁带下半部分或禁带之外，减少了陷阱对MOS器件稳定性的影响，提高了SiC MOSFET器件在低温(80～300K)和高温(300～500K)下的稳定性。
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公开(公告)号：CN109003895A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810796522.5
申请日：2018-07-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件制造及可靠性技术领域，一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺清洗，(2)高温热氧化，(3)电子回旋共振微波一步处理或分步处理，(4)涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(5)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过电子回旋共振混合等离子体放电产生大量N、H、Cl高反应活性物质，其中N、H可钝化界面及近界面氧化层陷阱，Cl可钝化栅氧化层中的可动离子，通过二元N-Cl或三元H-N-Cl混合等离子体的协同作用可以显著并同时提高SiC MOS器件阈值电压在低温(80～250K)和高温(350～550K)的稳定性。
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公开(公告)号：CN113035691B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110221974.2
申请日：2021-02-28
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于SiC半导体器件制作及可靠性技术领域，一种提高碳化硅MOSFET器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)SiC晶片氧化，(3)对步骤2制备的样品在含氧元素气氛下进行氧化后退火处理，(4)对步骤3处理后的样品在含氯元素气氛下进行氧化后退火处理，(5)对步骤4处理后的样品进行涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(6)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过分两步在界面中分别引入氧元素和氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2界面附近陷阱，又可以通过氯元素固定SiO2薄膜中的可动离子，从而有效提升SiC MOSFET器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN110571140B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910850905.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明属于SiC MOS器件制造工艺技术领域，一种提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法，包括以下步骤：(1)RCA清洗，(2)干氧氧化，(3)将样品放入等离子体反应室内，(4)等离子体辅助氧化后处理开始，(5)等离子体辅助氧化后处理结束，(6)进行离子注入后退火激活杂质，(7)完成SiC MOSFET的制作。利用ECR微波等离子体对SiC/SiO2界面进行含O等离子体气氛下的低温氧化后处理，而ECR微波等离子体具有高密度、高活性和低损伤的特点，能提高氧化效率，降低界面损伤，有效抑制界面态和近界面氧化物陷阱的产生，从而提升SiC/SiO2的界面质量，最终整体提升SiC MOS器件电学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112967944A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110130884.2
申请日：2021-01-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于SiC半导体器件可靠性测试技术领域，一种SiC MOS器件的陷阱量测试和分离方法，其中，测试方法包括以下步骤：(1)SiCMOSCAP/MOSFET器件的测试准备工作，(2)固有氧化物陷阱量测试，(3)采用急速冷却法测试SiC MOSCAP/MOSFET中的激活氧化物陷阱量。分离方法包括以下步骤：(1)固有氧化物陷阱量与界面陷阱量的分离，(2)激活氧化物陷阱量与激活界面陷阱量的分离，(3)SiC MOS器件的开启电压稳定性评价。本发明在通过在低温测试或急速冷却等方法，将陷阱的解陷速率大大降低，从而捕捉到激活陷阱的电学信号，进而提高计算评估及分离陷阱量的准确性。
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公开(公告)号：CN107083540B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710252532.8
申请日：2017-04-18
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法，具体是以聚酰亚胺为衬底，首先使用ECR‑PEMOCVD方法在聚酰亚胺衬底上依次制备第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，接着使用磁控溅射方法在第二氧化硅层上制备Ni层，然后使用ECR‑PEMOCVD方法在Ni层与第二氧化硅层的界面上制备石墨烯层，再使用湿法腐蚀方法去除Ni层，最后使用ECR‑PEMOCVD方法在石墨烯层上依次制备AlxGayIn1‑x‑yN缓冲层和外延层。所制备的AlxGayIn1‑x‑yN薄膜可用于制备InGaN太阳能电池、AlGaN紫外探测器和GaN薄膜晶体管等柔性器件。
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公开(公告)号：CN107083540A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710252532.8
申请日：2017-04-18
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/26 , C23C16/303 , C23C16/345 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法，具体是以聚酰亚胺为衬底，首先使用ECR‑PEMOCVD方法在聚酰亚胺衬底上依次制备第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，接着使用磁控溅射方法在第二氧化硅层上制备Ni层，然后使用ECR‑PEMOCVD方法在Ni层与第二氧化硅层的界面上制备石墨烯层，再使用湿法腐蚀方法去除Ni层，最后使用ECR‑PEMOCVD方法在石墨烯层上依次制备AlxGayIn1‑x‑yN缓冲层和外延层。所制备的AlxGayIn1‑x‑yN薄膜可用于制备InGaN太阳能电池、AlGaN紫外探测器和GaN薄膜晶体管等柔性器件。
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公开(公告)号：CN103107205A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310018911.2
申请日：2013-01-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/94 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件。其特征是在具有高导电、导热性能的石墨衬底材料表面上，采用射频磁控溅射方法，依次生长绝缘层（如：SiO2、Ga2O3、ZnMgO、VO2或MgO）和半导体层ZnO薄膜而制得ZnO基MOS器件。通过控制射频磁控溅射功率、腔室真空度、衬底温度和后续器件退火工艺，可以实现对制得的绝缘层、半导体ZnO薄膜晶体质量的有效控制，并进而实现对ZnO基MOS器件电学性能的控制。该法工艺简单易行，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102185583A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110062224.1
申请日：2011-03-16
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种AlN/GaN/自持金刚石结构SAW（声表面波器件）器件及制备方法。所说的多层膜结构SAW器件是在自持金刚石厚膜衬底和AlN薄膜之间有高C轴择优取向的纳米GaN中间层。这种AlN/GaN/自持金刚石多层膜结构SAW器件及制备方法，是在自持金刚石厚膜衬底表面首先沉积高C轴择优取向的纳米GaN中间层，然后在纳米GaN中间层上沉积高C轴择优取向的AlN薄膜。本发明有益的效果是：采取高C轴择优取向的纳米GaN薄膜作为自持金刚石和AlN薄膜之间的中间层，可得到平整光滑、结晶度好的高C轴择优取向的优质AlN薄膜。该薄膜结构可满足高频、高机电耦合系数、低损耗、大功率SAW器件等领域的应用需求。
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