公开(公告)号：CN1267576C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN01143879.7

申请日：2001-12-14

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 钟筑律夫 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/32136

摘要： 按照一种等离子体处理方法，送入处理腔体(1)内的处理气体产生等离子体并且借助等离子体对处理腔体(1)内放置的衬底(8)进行处理。衬底(8)包括至少两种类型被等离子体刻蚀的堆叠薄膜(21，22)，并且根据被刻蚀的薄膜类型，改变等离子体产生期间内的处理气体。因此可以缩短除主等离子体处理以外的任何过程所需时间从而可以缩短整个等离子体处理的总计时间以改善处理速度。

公开(公告)号：CN1363718A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01142940.2

申请日：2001-11-30

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 山本直子 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01J37/32192 ,  H01J37/32211

摘要： 一隙缝天线板(7)放置在一用来将微波辐射入一加工腔(13)内的第二电介质(5)上,所述隙缝天线板(7)设置在第二电介质(5)的那一面朝着所述腔室内部(13)的侧面上。隙缝天线板(7)由导体制成,并且包括用来使微波从其中通过以进入腔室内部(13)的各隙缝(7a)。以此方式,可以提供一种藉助微波来产生等离子体的等离子体加工设备,所述等离子体加工设备能对用于待加工材料的离子辐射能很方便地进行调节,以在所述材料的平面内对所述材料进行均匀的等离子体加工。

公开(公告)号：CN100479109C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510077566.5

申请日：2002-03-28

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32211 ,  H01J37/32192

摘要： 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。

公开(公告)号：CN100405557C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN03800685.5

申请日：2003-07-03

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  后藤哲也

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

摘要： 一种等离子体处理装置，其具有：处理容器，由外壁围成，具有支承被处理衬底的支承台；排气系统，与所述处理容器相结合；微波透过窗，作为所述外壁的一部分设置在所述处理容器上面，并与所述支承台上的被处理衬底相对；等离子体气体供给部分，向所述处理容器中供给等离子体气体；以及微波天线，对应于所述微波设置在所述处理容器上面；其中，所述等离子体气体供给部分包括多孔介质，并通过所述多孔介质向所述处理容器供给所述等离子体气体。

公开(公告)号：CN1210768C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02800920.7

申请日：2002-03-28

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也 ,  本乡俊明

IPC分类号： H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

摘要： 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。

公开(公告)号：CN1592957A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN01821537.8

申请日：2001-12-27

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

摘要： 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。

公开(公告)号：CN1484852A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN01821536.X

申请日：2001-12-27

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

摘要： 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。

公开(公告)号：CN1291461C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN01821536.X

申请日：2001-12-27

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

摘要： 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。

公开(公告)号：CN1165969C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN01120789.2

申请日：2001-03-21

申请人： 夏普公司 ,  大见忠弘

发明人： 钟筑律夫 ,  田寺孝光 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/511

摘要： 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备：处理室(1、2)；微波发射构件(5)；以及反应气体供给装置(14、15、21、22)，反应气体供给装置包含反应气体供给路(15)，该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间，还具备防微波透射构件(16)，该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。

公开(公告)号：CN1502121A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN02807489.0

申请日：2002-03-28

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

摘要： 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。